Сульфид тетрапалладия
Сульфид тетрапалладия — бинарное неорганическое соединение палладия и серы с формулой Pd4S, кристаллы.
| Сульфид тетрапалладия | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование |
Сульфид тетрапалладия |
| Традиционные названия | Сернистый палладий |
| Хим. формула | Pd4S |
| Физические свойства | |
| Состояние | кристаллы |
| Молярная масса | 457,75 г/моль |
| Плотность | 10,3 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 761 °C |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 12202-58-3 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Получение
- Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
Физические свойства
Сульфид тетрапалладия образует кристаллы тетрагональной сингонии, пространственная группа P 421c, параметры ячейки a = 0,51147 нм, c = 0,55903 нм, Z = 2 [1].
Обладает металлической проводимостью [2].
Примечания
- F. Grønvold, E. Røst. The crystal structures of Pd4Se and Pd4S // Acta Cryst.. — 1962. — Т. 15, № 1. — С. 11-13. — doi:10.1107/S0365110X62000031.
- J. Suchet. Crystal Chemistry and Semiconduction in Transition Metal Binary Compounds. — Academic Press, 1971.
Литература
- Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 2001. — Т. 3 Книга 1. — 972 с. — ISBN 5-217-02843-2.
- R. Bhatt, S. Bhattacharya, R. Basu, A. Singh, U. Deshpande, C. Surger, S. Basu, D. K. Aswal, S. K. Gupta. Growth of Pd4S, PdS and PdS2 films by controlled sulfurization of sputtered Pd on native oxide of Si (англ.) // Thin Solid Films. — 2013. — No. 539. — P. 41—46. — ISSN 0040—6090. — doi:10.1016/j.tsf.2013.04.143.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.