Квантовая яма
Квантовая яма — узкая потенциальная яма, которая ограничивает возможность движения частиц с трех до двух измерений, тем самым заставляя их перемещаться в плоском слое. Является двумерной (англ. two-dimensional, 2D) системой. Квантово-размерные эффекты проявляют себя, когда ширина ямы становится сравнимой с длиной волны де Бройля частиц (обычно электронов или дырок), и приводят к появлению энергетических подзон размерного квантования.
Энергия частицы в яме может быть представлена как сумма энергии движения в направлении квантования ( на рис.) и свободного движения в перпендикулярной плоскости ( на рис.). При этом принимает только дискретные значения, равные энергии дна какой-то из подзон, а на ограничений нет.
Квантовой ямой иногда называют систему с ограничением движения не только по одному, но и по двум или по трём декартовым координатам — с уточнением (по числу свободных направлений): «двумерная» (2D), «одномерная» (1D) или «нульмерная» (0D) яма. Но чаще в последних случаях используются термины «квантовый провод» (1D) и «квантовая точка» (0D).
Создание квантовых ям
Один из наиболее распространённых способов формирования квантовых ям в современных условиях — последовательное нанесение слоёв A—B—A полупроводниковых материалов, где материал B таков, что либо край его зоны проводимости лежит ниже края зоны проводимости материала A, либо край валентной зоны В лежит выше края валентной зоны А, либо и то и другое. Толщина слоя B обычно составляет несколько нанометров.
Оценка энергий подзон
Энергию дна каждой из подзон размерного квантования можно приблизительно оценить с помощью выражения:
- ,
где — номер подзоны размерного квантования, — эффективная масса соответствующей квазичастицы, — ширина квантовой ямы. Формула справедлива только тогда, когда энергия меньше, чем глубина ямы.
Для очень глубокой ямы (в пределе — для прямоугольной ямы с бесконечными стенками) эта формула даёт точные значения энергий . На практике, хотя ямы нередко являются прямоугольными, высота их стенок конечна и составляет от долей эВ до нескольких эВ.
Если в яме находится достаточно большое число заряженных частиц, то они создают поле, искажающее профиль потенциала и значения энергий подзон. Для рассмотрения подобных ситуаций существует метод Хартри-Фока.
Некоторые значимые свойства
Из-за квазидвумерной природы в пределах одной подзоны размерного квантования плотность состояний не зависит от энергии, но, когда значение энергии превышает энергию дна следующей подзоны, плотность состояний резко возрастает, в отличие от корневой зависимости в случае трехмерных электронов.
Квантовая яма может оставаться пустой, а может быть наполненной электронами или дырками. Добавляя донорную примесь, можно получить двумерный электронный газ, обладающий интересными свойствами при низкой температуре. Одним из таких свойств является квантовый эффект Холла, наблюдаемый в сильных магнитных полях. Добавление же акцепторной примеси приведет к получению двумерного дырочного газа.
Распределение заряда по координате зависит от вида волновых функций частиц в состояниях с энергиями , а именно:
- ,
здесь — заряд электрона, — волновая функция электрона (м-1/2) в состоянии , а — двумерная концентрация электронов (м-2) в данном состоянии. Последняя рассчитывается как
- ,
где — энергия Ферми, — постоянная Больцмана, — температура. Полная концентрация есть сумма по всем . Нередко оказывается, что заполнена только нижняя подзона, тогда для . На границах ямы ( и ) плотность заряда обычно мала, а для ямы с бесконечными стенками она равна нулю.
Приборы с квантовыми ямами
Благодаря особенностям поведения 2D плотности состояний, задействование квантовых ям позволяет улучшить характеристики ряда оптических приборов. Структуры с квантовыми ямами широко используются в лазерных диодах, включая красные лазеры для DVD и лазерных указок, инфракрасных лазерах для оптических передатчиков и синих лазерах. Также используются в транзисторах с высокой подвижностью электронов используемых в малошумящей электронике. Инфракрасные фотодетекторы также основаны на применении квантовых ям[1].
Находят применение и более сложные структуры с ямами. Например, резонансно-туннельный диод использует квантовую яму между двумя барьерами для создания отрицательного дифференциального сопротивления.
См. также
Примечания
- Бузанева, 1990, с. 147-202.
Литература
- Thomas Engel, Philip Reid. Quantum Chemistry and Spectroscopy. — Pearson Education, 2006. — С. 73—75. — ISBN 0-8053-3843-8.
- Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. — М.: Радио и связь, 1990. — 304 с.