Электрон-фононное взаимодействие

Механизм электрон-фононного взаимодействия можно наглядно пояснить следующим образом: электрон, находящийся между ионами кристаллической решётки, притягивает эти ионы, что приводит к уменьшению расстояния между ионами. Величина электрического поля ионов в пространстве между ними увеличивается, что притягивает другие рядом находящиеся электроны. Первый электрон при этом теряет свою энергию, а энергия притянувшегося электрона увеличивается.

Притяжение электронов вблизи ферми-поверхности является результатом испускания виртуального фонона одним электроном и поглощения его другим.

Передача импульса от фононов электронам является причиной акустоэлектрического эффекта — возникновения постоянного тока или ЭДС в кристалле под воздействием бегущей ультразвуковой волны.

Притяжение электронов посредством электрон-фононного взаимодействия является причиной образования куперовских пар электронов, которые играют важную роль в сверхпроводимости. При этом, в отличие от электронов, являющихся фермионами, куперовские пары являются квази-бозонами, способными образовывать бозе-конденсат.