Фосфид индия
Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
| Фосфид индия | |
|---|---|
 | |
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | InP |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 145.79 г/моль |
| Плотность | 4.81 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1062 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 22398-80-7 |
| PubChem | 31170 |
| Рег. номер EINECS | 244-959-5 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChEBI | 82281 |
| ChemSpider | 28914 и 22199222 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Ссылки
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.