Осцилляции Фриделя

Осцилляции Фриделя[1] — периодическое распределение электронной плотности, возникающее при экранировании электрического заряда дефекта.[2] Названы в честь французского физика Жака Фриделя. Возникают вследствие локализованных возмущений в металлической или полупроводниковой системе, вызванных дефектом в ферми-газе или ферми-жидкости .[3]

Рис.1. Экранирование отрицательно заряженной частицы в «бассейне» положительных ионов

Осцилляция Фриделя является квантовомеханическим аналогом экранирования электрического заряда заряженных частиц в «бассейне» ионов (см. рис. 1). В то время как классическая теория экранирования электрического заряда использует понятие точечных зарядов для описания состава ионного «бассейна», осцилляции Фриделя, описывающие фермионы в ферми — жидкости или ферми — газе, требуют квантового описания рассеяния электронных волн на потенциале дефекта. Такие осцилляции отражают характерное экспоненциальное затухание фермионной плотности вблизи возмущения, за которым следует затухание с осцилляциями (r — расстояние от дефекта).

Рассеяние на дефекте

Электроны, двигающиеся в металле или полупроводнике, подобны свободным электронам с волновой функцией в виде плоской волны, то есть

.

Электроны в металле ведут себя иначе, чем частицы в обычном газе, поскольку электроны являются фермионами, и они подчиняются статистике Ферми-Дирака. Такое поведение означает, что каждое k - состояние в газе может быть занято только двумя электронами с противоположным спином. Занятые состояния заполняют сферу в зонной структуре k - пространства до фиксированного энергетического уровня — энергии Ферми . Радиус шара в k - пространстве, , называется волновым вектором Ферми,  — эффективная масса.

Если в металле или полупроводнике находится чужеродный атом, так называемая примесь, электроны, свободно двигающиеся в проводнике, рассеиваются потенциалом примеси. Поскольку электронный газ является ферми-газом, только электроны с энергиями, близкими к уровню Ферми, могут участвовать в процессе рассеяния, так как должны существовать пустые конечные состояния с близкой энергией, в которые могли бы перейти электроны после рассеяния. Состояния вокруг уровня Ферми занимают ограниченный диапазон k — значений или длин волн. Поэтому только электроны в ограниченном диапазоне длин волн вблизи энергии Ферми рассеиваются, что приводит к модуляции плотности заряда. вокруг примеси. Для сферически симметричного потенциала примеси, имеющей положительный заряд, в трехмерном металле плотность заряда осциллирует, как функция расстояния от примеси.  :

,

где  — орбитальное квантовое число,  — фаза рассеяния парциальной компоненты волновой функции электрона,  — диэлектрическая проницаемость металла с волновым вектором, равным удвоенному вектору Ферми. Избыточное количество электронов вокруг примесного иона определяется правилом сумм Фриделя:

Для произвольной размерности электронной системы, , добавка к плотности заряда на больших расстояниях от дефекта имеет вид:[4]

Качественное описание

В классическом сценарии экранирования электрического заряда наблюдается затухание электрического поля в заряженной жидкости при наличии заряженного объекта. Поскольку экранирование электрического заряда рассматривает движущиеся заряды в жидкости как точечные объекты, концентрация этих зарядов относительно расстояния от точки уменьшается экспоненциально. Это явление описывается уравнением Пуассона-Больцмана .[5]

Локализованный у дефекта заряд создается быстрыми электронами ферми-газа, которые притягиваются к дефекту, замедляют свое движение возле него и скапливаются в этой области. Существование резкой границы длин электронных волн приводит к возникновению эффектов квантовой интерференции, в результате чего вокруг рассеивающего цента возникает гало заряда.[6]

Примечание. Там, где классически вблизи заряженного возмущения можно наблюдать подавляющее количество противоположно заряженных частиц, в квантовомеханическом сценарии осцилляций Фриделя — это периодическое расположение противоположно заряженных фермионов, за которыми следуют пространства с такими же заряженными областями.[3]

Визуализация двумерных осцилляций

Рис.2. Изображение сканирующей туннельной микроскопии примесей Cr и ступеней на поверхности Fe (001).[7]

Сканирующая туннельная микроскопия позволяет с атомным разрешением исследовать локальную плотность электронных состояний. (ЛПС) вблизи поверхности проводника:

где  — волновая функция электрона с учетом рассеяния на дефекте,  — энергия электрона с двумерным волновым вектором ,  — дельта-функция Дирака.

Рассеяние на дефекте приводит к интерференции волн и изменению плотности состояний, что отражает рассеивающие свойства дефекта.[8] Типичными дефектами поверхности являются адсорбированные инородные единичные атомы (точечные дефекты) и атомные ступени (линейные дефекты) (Рис.2). Одним из способов понимания качественных характеристик стоячих волн у ступенчатого края является приближение, в котором плоский ступенчатый край моделируется непроницаемым барьером для поверхностных электронов. Ступенчатый край создает узел ЛПС, , на грани ступени , а ЛПС на расстоянии от ступени описывается уравнением:[8]

,

где  — функция Бесселя первого рода.

Рис.3. Изображение сканирующей туннельной микроскопии наноостровков Co на поверхности Cu.[9]

Рис. 3 — двумерные осцилляции Фриделя проиллюстрированы СТМ - изображением чистой поверхности, на которой размещены наноостровки кобальта. На изображении хорошо видны двумерные фриделевские осцилляции плотности электронных состояний у точечных дефектов и границ островков.

Ссылки

Примечания

  1. У. ХАРРИСОН. ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИЗДАТЕЛЬСТВО «МИР» МОСКВА 1972
  2. Фриделя осцилляции. Энциклопедия физики и техники.
  3. Friedel Oscillations: wherein we learn that the electron has a size. Gravity and Levity (June 2, 2009). Дата обращения: 22 декабря 2009.
  4. Kai Sotthewes, Michiel Nijmeijer, and Harold J. W. Zandvliet Confined Friedel oscillations on Au(111) terraces probed by thermovoltage scanning tunneling microscopy. PHYSICAL REVIEW B 103, 245311 (2021)
  5. Hans-Jürgen Butt, Karlheinz Graf, and Michael Kappl, Physics and Chemistry of Interfaces, Wiley-VCH, Weinheim, 2003.
  6. 'Принципы теории твердого тела'; Займан, Дж.; Изд-во: М.: Мир, 1966
  7. «Atomic-scale Observations of Alloying at the Cr-Fe(001) Interface» by A. Davies, J.A. Stroscio, D.T. Pierce, and R.J. Celotta, Phys. Rev. Lett. 76, 4175 (1996).
  8. M. F. Crommie, C. P. Lutz, and D. M. Eigler, Nature (London) 363, 524 (1993); Science 262, 218 (1993).
  9. Spin mapping at the nanoscale and atomic scale. Roland Wiesendanger. Rev. Mod. Phys. 81, 1495 (2009)
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.