Квантово-размерный эффект Штарка
Квантоворазмерный эффект Штарка (КЭШ) (англ. Quantum-confined Stark effect (QCSE)) — эффект наблюдаемый в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах (таких как квантовая яма, квантовая точка и др.), выражающийся в смещении спектра поглощения/испускания при приложении электрического поля. В отсутствии поля, электроны и дырки могут занимать в квантовой яме лишь дискретный набор энергетических уровней. Следовательно, только свет с дискретным набор значений энергии может быть поглощён или испущен системой. При приложении электрического поля, электронные уровни сдвигаются к более низкими значениям энергии, а дырочные уровни к более высоким, что и выражается в уменьшении энергии поглощения и испускания системы. Кроме того, наклон валентной зоны и зоны проводимости в электрическом поле ведёт к пространственному разделению зарядов, что означает уменьшение интеграла перекрытия, и следовательно, согласно Золотому правилу Ферми, ведёт к уменьшению коэффициента поглощения/испускания[1].
Квантово-размерный эффект Штарка может быть вызван как внешним электрическим полем, так и внутренним полем появляющимся вследствие прямого пьезоэлектрического эффекта[2][3], в частности такой эффект был предсказан и экспериментально наблюдаем в полупроводниковых гетероструктурах на нановискерах[4].
Квантово-размерный эффект Штарка используется в оптических модуляторах, где служит для быстрого переключения модулятора.
Математическое описание
Энергетический сдвиг для, например, квантовой ямы может быть посчитан сравнивая энергии в присутствии и в отсутствии электрического поля. Благодаря симметрии не сложно посчитать энергию в отсутствии поля. Далее, если поле относительно мало, его можно представить в виде возмущения и оценить его действие с помощью теории возмущений.
Система без электрического поля
Потенциал квантовой ямы может быть записан как
- ,
где есть ширина ямы, а высота потенциальных барьеров. Связанные состояния в квантовой яме лежат в дискретном спектре энергий, и соответствующие волновые функции могут быть записаны следующим образом:
В этом выражении, это площадь среза системы, перпендикулярная направлению квантизации, это периодическая Блоховская функция для энергии в полупроводнике, а это слабо изменяющаяся огибающая функция системы.
Если квантовая яма достаточно глубока, её можно представить как квантовую яму с бесконечно высокими барьерами, то есть . В этом упрощённом случаи аналитическое выражение для связанных волновых функций может быть записано как:
Энергии связанных состояний:
где есть эффективная масса электрона в данном полупроводнике.
Система с электрическим полем
Предполагая поле в направлении z,
член Гамильтониана отвечающий возмущению есть,
Поправка первого порядка к энергетическим уровням равно нулю из-за симметрии,
- .
Поправка второго порядка, например для n = 1, есть,
для электронов. Аналогичные вычисления можно сделать для дырок, заменяя эффективные массы электронов эффективными массами дырок.
См. также
Примечания
- D. A. B. Miller et al. Phys. Rev. Lett. 53, 2173—2176 (1984) http://prl.aps.org/abstract/PRL/v53/i22/p2173_1
- A. Patanè et al. Appl. Phys. Lett. 77, 2979 (2000); https://dx.doi.org/10.1063/1.1322631
- М. М. Соболев и др. ФТП том.39, вып. 7, стр. 1088 (2005) http://journals.ioffe.ru/ftp/2005/09/p1088-1092.pdf
- Appl. Phys. Lett. 104, 183101 (2014) http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/104/18/10.1063/1.4875276