Эффект Нернста — Эттингсгаузена
Эффект Нернста — Эттингсгаузена, или поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена, — термомагнитный эффект, наблюдаемый при помещении полупроводника, в котором имеется градиент температуры, в магнитное поле. Данный эффект был открыт в 1886 году В. Нернстом и А. Эттингсгаузеном. В 1948 году эффект в металлах получил своё теоретическое обоснование в работе Зондхаймера[1]
Суть эффекта состоит в том, что в полупроводнике появляется электрическое поле , перпендикулярное к вектору градиента температур и вектору магнитной индукции , то есть в направлении вектора . Если градиент температуры направлен вдоль оси , а магнитная индукция — вдоль , то электрическое поле параллельно вдоль оси . Поэтому между точками и (см. рис.) возникает разность электрических потенциалов . Величину напряжённости электрического поля можно выразить формулой:
где — так называемая постоянная Нернста — Эттингсгаузена, которая зависит от свойств полупроводника и может принимать как положительные, так и отрицательные значения. Например, в германии с удельным сопротивлением ~ 1 Ом/см при комнатной температуре, при Гс и К/см наблюдается электрическое поле В/см. Значение постоянной , а следовательно и , сильно зависят от температуры образца и от магнитного поля и при изменении этих величин могут даже изменять знак.
Поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена возникает по той же причине, что и эффект Холла, то есть в результате отклонения потока заряженных частиц силой Лоренца. Различие, однако, заключается в том, что при эффекте Холла направленный поток частиц возникает в результате их дрейфа в электрическом поле, а в данном случае — в результате диффузии.
Существенным отличием является также тот факт, что, в отличие от постоянной Холла, знак не зависит от знака носителей заряда. Действительно, при дрейфе в электрическом поле изменение знака заряда приводит к изменению направления дрейфа, что и даёт изменение знака поля Холла. В данном же случае поток диффузии всегда направлен от нагретого конца образца к холодному, независимо от знака заряда частиц. Поэтому направления силы Лоренца для положительных и отрицательных частиц взаимно противоположны, однако направление потоков электрического заряда в обоих случаях одно и то же.
Продольный эффект Нернста — Эттингсгаузена
Продольный эффект Нернста — Эттингсгаузена заключается в изменении термоэдс металлов и полупроводников под влиянием магнитного поля.
В отсутствие магнитного поля термоэдс в электронном полупроводнике определяется разностью компонент скоростей быстрых электронов (движущихся с горячей стороны) и медленных электронов (движущихся с холодной стороны) вдоль градиента температуры.
При наличии магнитного поля продольные (вдоль градиента температуры) и поперечные (поперек градиента температуры) компоненты скоростей электронов изменяются в зависимости от угла поворота скорости электронов в магнитном поле, определяемого временем свободного пробега электронов в металле или полупроводнике.
Если время свободного пробега для медленных электронов или дырок (в полупроводниках) больше, чем для быстрых, то , где — продольные компоненты скоростей медленных и быстрых электронов при наличии магнитного поля, — продольные компоненты скоростей медленных и быстрых электронов при отсутствии магнитного поля. Величина термоэдс в магнитном поле, пропорциональная разности будет больше, чем в отсутствие магнитного поля при разности . И, наоборот, если время свободного пробега для медленных электронов меньше, чем для быстрых, наличие магнитного поля уменьшает термоэдс.
В электронных полупроводниках термоэдс в магнитном поле увеличивается, если время свободного пробега уменьшается с увеличением энергии электрона (при рассеянии на акустических фононах).
В электронных полупроводниках термоэдс в магнитном поле уменьшается, если время свободного пробега увеличивается с увеличением энергии электрона (при рассеянии на ионизированных атомах примеси).[2]
Литература
- Блатт Ф. Дж. Теория подвижности электронов в твёрдых телах / Пер. с англ. — М.: Физматлит, 1963. — 224 с.
- Цидильковский И. М. Термомагнитные явления в полупроводниках. — М.: Физматгиз, 1960. — (Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»). — 396 с.
- Житинская М. К., Немов С. А., Свечникова Т. Е. Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31. — № 4. — с. 441—443.
Примечания
- Sondheimer E. H. The Theory of the Galvanomagnetic and Thermomagnetic Effects in Metals // Proceedings of the Royal Society A. — July 21, 1948. — №193. — pp. 484-512; doi:10.1098/rspa.1948.0058.
- Аскеров Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках. — Л.: Наука, 1970.