Лебедев, Александр Александрович (физик)

Родился в 1959 году. Сын и полный тёзка Александра Александровича Лебедева (1929—1999), физика, доктора наук, всю жизнь проработавшего в ФТИ. Мать Лебедева-младшего, Майя Августовна (1929—2003), — кандидат наук, также сотрудница ФТИ. Дед по отцу, Александр Алексеевич (1893–1969), — учёный-оптик, сотрудник ГОИ, академик АН СССР[1].

По окончании обучения в ЛЭТИ принят на работу в ФТИ в лабораторию, возглавлявшуюся тогда В. Е. Челноковым. Появился в институте ещё студентом (как практикант в лаборатории И. В. Грехова). В свои первые трудовые годы активно взаимодействовал с отцом, вместе они опубликовали несколько статей. В Физтехе Лебедев прошёл все ступени служебной лестницы от старшего лаборанта до заведующего лабораторией и одновременно Отделением твердотельной электроники. Стал доктором физико-математических наук[2].

Параллельно с научной работой, преподавал в СПбГЭТУ[3]. Сейчас занимает там должность профессора кафедры оптоэлектроники.

В 2019 году был одним из трёх претендентов на пост директора ФТИ РАН[2].

Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации физика и астрономия — премия им. А. Ф. Иоффе (Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115) за исследование электрофизических свойств карбида кремния и разработку приборов на его основе[4].

Лебедев — специалист в области физики, технологии и приборных применений широкозонных полупроводников, в первую очередь карбида кремния. При его участии[2]:

• разработана технология эпитаксии слоёв SiС с заданными параметрами, при этом впервые для исследования широкозонных полупроводников применён метод нестационарной ёмкостной спектроскопии;
• доказана возможность работы приборов на основе SiC при температурах свыше 800 ⁰C и уровнях излучения на два порядка больших, чем предельные значения для кремниевых приборов с теми же рабочими параметрами;
• создан новый тип гетеропереходов — между двумя кристаллическими модификациями одного и того же полупроводникового материала;
• предложена технология формирования графена термодеструкцией поверхности SiC, исследованы свойства полученных плёнок и изготовлены газовые и био- сенсоры на их основе.

Автор более 300 публикаций, в том числе монографии и 6 авторских свидетельств и патентов[5].

В сотрудничестве лаборатории Лебедева с ПАО «Светлана-Электронприбор» разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов, а также организовано производство монокристаллов SiC.

Подготовил трёх кандидатов наук.

Входит в состав двух диссертационных советов, является членом редколлегии журнала "Advanced Materials Letters".

Член научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела» с 2020 года[6]. Член экспертного совета РНФ, координатор секции: физика и науки о космосе[7].

Состоит в программных комитетах ряда международных конференций по физике карбида кремния и родственных материалов[2].