Грехов, Игорь Всеволодович

И. В. Грехов родился в 1934 году в семье школьных учителей. Среднюю школу окончил в Симферополе с золотой медалью[1].

В 1958 году окончил МВТУ им. Баумана в Москве и был распределён на завод «Электровыпрямитель» в Саранск (Мордовская АССР). Там в 1958—1962 годах работал инженером и начальником лаборатории.

В 1962 году переехал в Ленинград. Вся дальнейшая научная биография И. В. Грехова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ АН СССР, с 1992 г. ФТИ РАН), где он последовательно занимал должности младшего и старшего научного сотрудника, заведующего сектором, лабораторией мощных полупроводниковых приборов, отделом, отделением[2]. Ныне — главный научный сотрудник.

Кандидатскую диссертацию защитил в 1967 году под руководством академика В. М. Тучкевича, докторскую — в 1975, обе в ФТИ. В 1991 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 2008 году стал академиком РАН по Отделению энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (ОЭММПУ), секция энергетики[3].

В 1980—1990-е годы читал курс лекций «Основы физики полупроводниковых приборов» студентам Ленинградского политехнического института. Подготовил более 30 кандидатов наук, 10 его учеников впоследствии стали докторами наук. Профессор.

Входит в состав редколлегии журнала «Письма в ЖТФ». Эксперт РАН, член научного совета РАН по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника», был участником научно-координационного совета Федеральной целевой программы по развитию НПК России на 2008—2013 гг.[3].

Женат (супруга работала в Русском музее[1]), имеет сына.

В течение почти сорока лет (1962—2000) серьёзно занимался альпинизмом. Кандидат в мастера спорта (1976). Совершил свыше 150 восхождений, в том числе пятой категории сложности (см. о категориях) — 23, первовосхождений — 3, на «семитысячники» — 2. Работал инструктором и участвовал в спасательных работах в горах[4].

Основные области профессиональных интересов И. В. Грехова — физика полупроводниковых приборов, силовая полупроводниковая электроника, импульсная техника[2][5].

В 1960—1975 гг. он был одним из ведущих членов руководимого В. М. Тучкевичем коллектива, создавшего в СССР новую отрасль индустрии — силовое полупроводниковое приборостроение, что позволило радикально снизить энергозатраты во всех энергоёмких сферах.

Последующие выполненные им исследования физических процессов в электронно-дырочной плазме в полупроводниках дали возможность на порядки поднять предельную импульсную мощность приборов. Новые приборы, способные функционировать в диапазоне длительностей от сотен микросекунд до десятков пикосекунд, нашли применение в системах питания мощных лазеров и ускорителей, генераторов направленных импульсов электромагнитного излучения и многих импульсных промышленных технологиях.

Важнейшие мощные импульсные приборы, разработанные под руководством И. В. Грехова:

• Реверсивно-включаемые динисторы (РВД);
• Дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ);
• Субнаносекундные обострители мощных импульсов;
• Интегральные тиристоры с полевым управлением.

Большинство приборов изготавливается на базе кремния, однако ведутся также исследования и разработки приборов на основе карбида кремния и других полупроводниковых материалов[2].

Учреждённое с участием И. В. Грехова инновационное предприятие «Мегаимпульс» производит генераторы с использованием созданных приборов для российских и зарубежных потребителей.

Среди других работ, проводившихся в разное время в лаборатории, возглавляемой И. В. Греховым, — изучение высокотемпературной сверхпроводимости, сегнетоэлектрической (PZT) памяти, структур металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-тонким диэлектриком, оптоэлектронных систем с пористым кремнием.

И. В. Грехов — соавтор четырёх книг, свыше 600 научных статей и 200 изобретений. Имеет более 2400 цитирований своих научных работ, индекс Хирша — 24 (данные РИНЦ на конец 2020 г.)[6].

Публиковался в журналах Solid-State Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices и on Plasma Science, Journal of Applied Physics, УФН и других. В 1975 году на крупном научном форуме IEDM в Вашингтоне[1] представил обзор достижений силовой электроники в СССР того времени. Впоследствии многократно выступал с приглашёнными докладами по сильноточным твердотельным приборам.

Некоторые книги и статьи:

• Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. // Лавинный пробой pn-перехода в полупроводниках // Л.: Энергия (1980).
• Грехов И. В., Линийчук И. А. // Тиристоры, выключаемые током управления // Л.: Энергоиздат (1982).
• Тучкевич В. М., Грехов И. В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988.
• Грехов И. В., Месяц Г. А. // Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // УФН, т. 175, с. 735—744 (2005) — см. статью.
• Grekhov I.V. // Pulse power generation in nano- and subnano- second range by means of ionizing fronts in semiconductors: the state of the art and future prospects // IEEE Transactions on Plasma Science, 38:5, pp. 1118—1123 (2010) — см. статью.

Научная деятельность И. В. Грехова была отмечена премиями и наградами СССР и России[3][5]:

• Ленинская премия (1966)
• Государственная премия СССР (1987, руководитель работы)
• Государственная премия РФ (2002)
• Премия Правительства РФ (2006, руководитель работы)
• Премия Правительства Санкт-Петербурга (2010)
• Заслуженный изобретатель РСФСР (1975 г.)[7]
• Орден Дружбы народов (1981)
• Орден Почёта (1999)
• Орден Дружбы (2010)

В 2017 году вошёл в шорт-лист (топ-10) премии Глобальная энергия (данную премию, дипломы и ряд других наград присуждает одноимённая ассоциация англ. Global Energy Association, GEA)[8]. В 2021 году получил почётный диплом GEA «за выдающийся вклад в развитие электроэнергетики»[9].

• Профиль Грехова Игоря Всеволодовича на официальном сайте РАН