Арсенид алюминия-галлия

Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой AlxGa1-xAs). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=1 — арсениду алюминия (AlAs). Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs.

Арсенид алюминия-​галлия

Кристаллическая структура AlGaAs типа цинковой обманки
     Ga или Al          As
Общие
Систематическое
наименование		 Арсенид алюминия-​галлия
Хим. формула AlxGa1-xAs
Физические свойства
Состояние тёмно-серые кристаллы
с красноватым отливом
Молярная масса переменная, зависит от параметра х,
101,9 - 144,64 (GaAs)
 г/моль
Плотность переменная, зависит от х,
3,81 - 5,32 (GaAs)
Термические свойства
Температура
 • плавления переменная, зависит от х,
1740 - 1238 (GaAs)
Структура
Координационная геометрия тетраэдральная
Кристаллическая структура кубическая,
типа цинковой обманки
Безопасность
Токсичность при взаимодействии
с водой выделяет арсин
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

В литературе параметр х, где не возникнет двусмысленности, обычно опускается, и формула AlGaAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава.

Кристаллическая структура

Сингония кристалла — кубическая, типа цинковой обманки (сфалерита) с постоянной решётки около 0,565 нм и слабо зависит от параметра х.

Получение

Тонкие плёнки соединения обычно выращивают на подложках методом газофазной эпитаксии из разреженной смеси газов, например, триметилгаллия, триметилалюминия и арсина, причём параметр х при таком процессе можно регулировать, изменяя концентрации триметилгаллия и триметилалюминия в газе (для упрощения коэффициентов показаны получения соединений с равными количествами атомов Al и Ga):

Ga(CH3)3 + Al(CH3)3 + 2 AsH3 → AlGaAs2 + 6 CH4.

Также AlGaAs получают методом молекулярно-пучковой эпитаксии:

2 Ga + 2 Al + As4 → 2 AlGaAs2.

Применение

AlGaAs применяют в промежуточных слоях полупроводниковых гетероструктур для вытеснения электронов в слой чистого арсенида галлия. Пример подобных полупроводниковых приборов — фотодатчики, использующие эффект квантовой ямы.

Также AlGaAs может быть использован для создания полупроводниковых лазеров ближнего ИК-диапазона с длиной волны излучения 1,064 мкм.

Токсичность и вредность

С этой точки зрения AlGaAs недостаточно изучен. Известно, что пыль соединения вызывает раздражение кожи, глаз и лёгких. Аспекты охраны труда и производственной гигиены в процессе газовой эпитаксии, при которой используются такие соединения, как триметилгаллий и арсин, изложены в обзоре[1].

См. также

Примечания
  1. Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors (англ.) // Journal of Crystal Growth : journal. — 2004. — Vol. 272, no. 1—4. — P. 816—821. — doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

Литература

Ссылки
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.