Чайковский, Станислав Анатольевич

Родился 28 октября 1964 года.

В 1986 году — окончил Томский государственный университет.

В 2004 году — защитил кандидатскую[2], а в 2016 году — докторскую[3] диссертации.

С 1986 года — работает в Институте сильноточной электроники СО РАН

Работает в Институте электрофизики УрО РАН, с декабря 2015 года — директор института.

Заместитель заведующего отделом физической электроники Физического института имени П. Н. Лебедева РАН[4].

В 2019 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Специалист, внесший значительный вклад в исследования по «скиновому» взрыву проводников, сжатию плазменных лайнеров (z-пинчей), получению мощных импульсов мягкого рентгеновского излучения (МРИ), выполненных на уникальных генераторах МИГ и ГИТ-12 тераваттного уровня мощности.

Основные научные результаты:

• экспериментальная демонстрация стабилизации процесса сжатия цилиндрических лайнеров до рекордных по радиусу значений аксиальным магнитным полем;
• практическая реализация каскадированных лайнерных структур для подавления гидродинамических неустойчивостей при увеличенном времени сжатия, позволившая достичь превосходящей аналоги эффективности генерации импульсов МРИ;
• впервые выполненное детальное исследование нелинейной диффузии мегагаусных полей в проводники с установлением критерия взрыва в скиновом режиме и экспериментально подтвержденная возможность задержки плазмообразования путем использования многослойных структур;
• разработка серии уникальных компактных радиографов на основе схемы «х-пинч», поставленных в крупные научные центры России (ИЯФ СО РАН, г. Новосибирск; ТРИНИТИ, г. Троицк; ФИАН, г. Москва) и за рубеж.

Соавтор 194 научных работ.

• Профиль Станислава Анатольевича Чайковского на официальном сайте РАН