Институт сильноточной электроники СО РАН

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы[3].

Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке[2].

Институт возглавляли[2]:

• 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
• 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
• 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
• с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.

• Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович[5]
• Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович[6])
• Отдел физической электроники
• Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)[7]
• Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)[8]
• Лаборатория вакуумной электроники
• Лаборатория газовых лазеров
• Лаборатория оптических излучений
• Лаборатория низкотемпературной плазмы
• Лаборатория прикладной электроники
• Лаборатория теоретической физики
• Лаборатория плазменных источников
• Конструкторско-технологический отдел
• Группа автоматизации научных исследований

• Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1][9]
• Зам. директора по научной работе:
  • Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
  • Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
• Научный руководитель
  • Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор

• Институт цитологии и генетики СО РАН

• Официальный сайт института