Троичная ячейка памяти

Троичная ячейка памяти используется в электронике, в пневмонике и в других областях.

Традиционно ячейка памяти определяется, как наименьшая часть памяти имеющая свой адрес. При таком определении троичная ячейка памяти может иметь несколько троичных разрядов в зависимости от системы адресации памяти троичной ЭВМ (компьютера).

По элементной основе троичные ячейки памяти могут быть построены

  • на триггерах, подобно двоичной SRAM, высокое быстродействие, но дорого из-за большего числа транзисторов на ячейку;
  • на конденсаторе с транзистором, подобно двоичной DRAM. Ёмкость в 1,58 раз больше, но в 1,5 раза ниже быстродействие и в 1,5 раза ниже помехоустойчивость.

Классификация

Трёхуровневые

В них три потенциала разных уровней (положительный, нулевой, отрицательный) соответствуют трём устойчивым состояниям ячейки

Двухуровневые

В них элементарным устройством является двухуровневый инвертор с двумя потенциалами (высокий, низкий), а троичность работы достигается цепями обратных связей между тремя двухуровневыми инверторами. Такая ячейка памяти называется троичный двухуровневый триггер.

Троичная SRAM
Троичная SRAM на 2или-не
Троичная SRAM на 2и-не

Проект троичной SRAM приведён в [1]

Троичная DRAM
Троичная DRAM

Троичная DRAM построена, подобно двоичной DRAM, на элементе с одним конденсатором и одним аналоговым ключом, работающим и с положительными и с отрицательными сигналами, но с биполярным зарядом конденсатора. Положительный заряд соответствует одному из трёх состояний, отрицательный второму, а «0» — третьему состоянию. В схемах считывания-регенерации вместо одного компаратора, который делит весь диапазон амплитуд на две части, два компаратора, которые делят весь диапазон амплитуд на три части. Схемы записи при этом подают на ячейки и положительное и отрицательное напряжение.

Элемент такой троичной ячейки DRAM показан на рисунке справа.

При одинаковом числе конденсаторов ёмкость троичной трёхуровневой DRAM увеличивается в 1,58 раз.

При этом трёхуровневая DRAM, по сравнению с двухуровневой DRAM имеет в 1,5 раза меньшее быстродействие.

При одинаковом размахе напряжений трёхуровневая DRAM имеет меньшую помехоустойчивость.

Для достижения одинаковой с двухуровневой DRAM помехоустойчивости нужно увеличить размах напряжений, что потребует увеличение максимального допустимого напряжения почти всех элементов микросхемы DRAM.

Все эти свойства определяют область её применения: в 1,5 раза более медленные, с в 1,5 раза меньшей помехоустойчивостью, DRAM с в 1,58 раз большей ёмкостью[2].

См. также

Примечания
  1. Модуль троичной трёхбитной (3B BCT) SRAM 3х3T=9Тритов
  2. Модуль троичной трёхуровневой (3LCT) DRAM 6х6=36Тритов v3 с произвольным доступом к любому триту
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.