Рекомбинация (физика полупроводников)
Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии.
В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:
- межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону, существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов;
- через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках.
В образцах с больши́м значением поверхности на единицу объёма значительно возрастает роль рекомбинации на поверхностных состояниях (поверхностной рекомбинации).
При рекомбинации носителей выделяется энергия, которая передаётся частицам (в том числе квази-). В зависимости от типа частиц-«приёмников» выделяются:
- излучательная рекомбинация — энергия уносится фотонами;
- безызлучательная рекомбинация — энергия передается фононам решетки или другим частицам (Оже-рекомбинация).
Ссылки
- Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках - Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.
- § 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»
- 11.3. Генерация и рекомбинация в полупроводниках и диэлектриках / В. А. Гуртов, Р. Н. Осауленко. Физика твердого тела для инженеров, 2007
- 2.8. Carrier recombination and generation / Bart Van Zeghbroeck, "Principles of Semiconductor Devices". August 2007 (англ.)
- Lecture 4 - Carrier generation and recombination / Jesús del Alamo, course materials for 6.720J Integrated Microelectronic Devices, Spring 2007. MIT OpenCourseWare (англ.)
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.