Лукичев, Владимир Фёдорович

Владимир Федорович Лукичев (род. 12 ноября 1954 года) — советский и российский физик, специалист в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем, член-корреспондент РАН (2011).

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Лукичев.
Владимир Федорович Лукичев
Дата рождения 12 ноября 1954(1954-11-12) (67 лет)
Страна  СССР→ Россия
Научная сфера микроэлектроника
Место работы Физико-технологический институт РАН, МИРЭА
Альма-матер физический факультет МГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1997)
Учёное звание член-корреспондент РАН (2011)

Биография
Основной источник: [1]

Родился 12 ноября 1954 года.

В 1972 году — окончил физико-математическую школу-интернат № 18 имени А. Н. Колмогорова.

В 1978 году — окончил физический факультет МГУ.

В 1983 году — защитил кандидатскую, а в 1997 году — докторскую диссертацию.

С 1988 года — работает в Физико-технологическом институте Российской Академии Наук, с апреля 2005 года — заместитель директора по научной работе, с мая 2017 года — директор института[2]

В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Научная деятельность
Основной источник: [1]

Основные научные результаты:

  • получены граничные условия (Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников, таких как MgB2;
  • разработана многокомпонентная модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур, исследованы предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения;
  • дано теоретическое обоснование апертурного эффекта, предсказан обратный апертурный эффект в процессах РИТ, что используется в проектировании интегральных схем; оптимизированы параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, что используется при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем;
  • разработана модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров.

Автор более 70 научных публикаций.

Ведет преподавательскую деятельность в должности заведующего кафедрой полупроводниковых приборов Московского института радиотехники, электроники и автоматики.

Под его руководством защищены 1 докторская и 1 кандидатская диссертации.

Ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», заместитель председателя диссертационного совета, член экспертного совета ВАК при Минобрнауки России по электронике.

Примечания
  1. Лукичев Владимир Федорович (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 23 сентября 2017.
  2. Приказ ФАНО России о назначении на должность директора Физико-технического института РАН Лукичева В. Ф. (pdf). ftian.ru. Дата обращения: 24 сентября 2017.

Ссылки
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.