Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Ярославский филиал Физико-технологического института РАН (ЯФ ФТИАН). Главная цель — проведение фундаментальных и прикладных исследований в области элементной и технологической базы микро- и наноэлектроники и микросистемной техники.[1]

Общая численность сотрудников — 105 человек: научных сотрудников 43, в том числе 7 докторов наук, 21 кандидат наук. Средний возраст сотрудников — 45 лет.[1]

Директор филиала — доктор физико-математических наук профессор А. С. Рудый.[1]

История

В 1984 году в Ярославле был создан Институт микроэлектроники АН СССР (ИМ АН СССР), директор-организатор — академик К. А. Валиев. Было выделено здание на улице Красноборской, дом 3 (ныне корпус Б). В 1989 году построено второе здание на улице Университетской, дом 21 (ныне корпус А).[1]

В 1999 году ИМ РАН был преобразован в Институт микроэлектроники и информатики (ИМИ РАН), а в 2006 году учреждение стало филиалом Физико-технологического института РАН.[1]

С 1984 года в институте подготовлено 30 кандидатов и 9 докторов наук. Сотрудники опубликовали более 600 работ, из них около 300 статей в рецензируемых изданиях, получено 25 патентов.[1]

Лаборатории
  • Лаборатория диагностики микро- и наноструктур (заведующий — А. Б. Чурилов)[1]
  • Лаборатория наноэлектроники и спинтроники (заведующий — А. С. Рудый)[1]
  • Лаборатория технологии микро- и наносистемной техники (заведующий — И. И. Амиров)[1]
  • Лаборатория исследования формирования многослойных структур (заведующий — О. С. Трушин)[1]
  • Лаборатория физики и технологии наноструктур (заведующий — В. М. Мордвинцев)[1]

Примечания
  1. yf-ftian.ru — официальный сайт  (рус.)  (англ.)

Ссылки
  • yf-ftian.ru — официальный сайт  (рус.)  (англ.)
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.