Шкловский, Борис Ионович

После окончания физического факультета Ленинградского государственного университета[1] поступил в аспирантуру Физико-технического института (ФТИ) имени Иоффе и в 1968 году стал кандидатом физико-математических наук. Затем около двадцати лет работал на различных научных должностях в ФТИ. В годы Перестройки переехал в США, где стал работать в Миннесотском университете.

Круг интересов Б. И. Шкловского как исследователя достаточно широк. Он изучал теорию переноса заряда в твёрдых телах, электронные корреляции, неупорядоченные полупроводниковые системы, металлические фазовые переходы, квантовый эффект Холла, занимался теорией ионисторов. Длительное время сотрудничал с А. Л. Эфросом[2]; вместе они опубликовали ряд работ с использованием модели кулоновской щели в спектре локализованных электронных состояний. Ттакже в сферу интересов Шкловского входит биофизика: ионная устойчивость, перенос ионов и ДНК через ионные каналы и др.

• Награждён медалью имени Л. Д. Ландау от Академии наук СССР в 1986 году[3][1]
• С 1994 года член Американского физического общества[4]

• Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с. — (Физика полупроводников н полупроводниковых приборов). — 4500 экз. — doi:10.3367/UFNr.0130.198003f.0521.
• Эфрос, А. Л., Шкловский, Б. И. Кулоновская щель и низкотемпературная проводимость неупорядоченных систем. — М.: Journal of Physics, 1974. — Т. 8. — (Физика полупроводников н полупроводниковых приборов). — 4 экз. — doi:10.1088/0022-3719/8/4/003.

• tpi.umn.edu/shklovskii/ (англ.) — официальный сайт Бориса Ионовича Шкловского
• National Public Radio Blog (англ.)