Хохлов, Дмитрий Ремович
Дми́трий Ре́мович Хохло́в (род. 26 декабря 1957) — российский физик, профессор МГУ, лауреат Государственной премии РФ (1995), член-корреспондент РАН (2008).
| Дмитрий Ремович Хохлов | |||
|---|---|---|---|
| Дата рождения | 26 декабря 1957 (64 года) | ||
| Место рождения | Москва | ||
| Страна |
 СССР→ Россия |
||
| Научная сфера | физика полупроводников | ||
| Место работы | |||
| Альма-матер | физический факультет МГУ (1980) | ||
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1992) | ||
| Учёное звание | профессор (2001), член-корреспондент РАН (2008) | ||
| Награды и премии |
|
||
Биография
Родился в Москве в семье известного физика Р. В. Хохлова и Елены Михайловны Дубининой (дочери М. М. Дубинина)[1], младший брат А. Р. Хохлова. В 1974 году окончил 2-ю физико-математическую школу в Москве[2]. Выпускник физического факультета МГУ 1980 года. Поступил на работу в лабораторию полупроводников физического факультета МГУ, позднее стал заведующим этой лабораторией. В 1992 году защитил диссертацию на соискание степени доктора физико-математических наук по теме «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». В 1995 году получил Государственную премию Российской Федерации «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов», в том же году стал лауреатом премии им. Шувалова. С 1998 года — профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости того же факультета. С 2006 избран заведующим кафедрой общей физики и магнито-упорядоченных сред МГУ. В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН.
- член научного совета РАН по физике полупроводников
- заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию
- член учёного совета физического факультета МГУ
Научные интересы
Научные интересы: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников:
- гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени;
- локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях;
- СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени;
- СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
- селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона.
Примечания
Ссылки
- Профиль Дмитрия Ремовича Хохлова на официальном сайте РАН
- Кабинет физики СПбАППО
- Статья на сайте «Летопись Московского университета»
- Историческая справка на сайте Архива РАН
 |
|---|