Хайкин, Моисей Семёнович
Моисей Семёнович Хайкин (05.12.1921 — 07.12.1990) — крупный российский физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, член-корреспондент АН СССР (1987).
Моисей Семёнович Хайкин | |
---|---|
Дата рождения | 5 декабря 1921 |
Дата смерти | 7 декабря 1990 (69 лет) |
Страна | СССР |
Научная сфера | физика |
Место работы | ИФП АН СССР |
Альма-матер | физический факультет МГУ |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Учёное звание | член-корреспондент АН СССР |
Награды и премии |
Родился в Москве. Сын С. Э. Хайкина.
Окончил МГУ (1947).
С 1945 года работал в Институте физических проблем АН СССР. Также преподавал в МГУ и МФТИ, профессор.
Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).
На основе его работ был получен важный для теории металлов результат — установлено, что поверхности Ферми имеют форму, близкую к модели почти свободных электронов. Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).
Обнаружил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах, в ряде случаев приводящую к значительному повышению температуры сверхпроводящего перехода (1978—1983).
Инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии. Создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987). Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).
Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию.
Источники
- Хайкин, Моисей Семёнович на официальном сайте РАН
- Хайкин Моисей Семенович
- Хайкин Моисей Семенович// Фото
- Памяти Моисея Семёновича Хайкина, Успехи физических наук, т. 161, № 6, июнь 1991
- Могила М. С. Хайкина