Список микроэлектронных производств
В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.
В России и СНГ
Микроэлектронное производство в России[1]:
Компания | Название фабрики | Местоположение | Примерная стоимость | Начало производства | Диаметр пластин, мм | Техпроцесс, нм | Производительность, пластин в месяц |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ангстрем-Т[1] (восстановление производства[2][3][4]) | ![]() | 45 млрд рублей[5] | 05 августа 2016 года производство начато[6]. | 200[5] | 130-110[5] (возм. до 90 нм) | 15000[5] | |
Ангстрем | Линия 150 | ![]() | 150 | 600 (КНС/КНИ) | 8000[7] | ||
Ангстрем | Линия 100 | ![]() | 100 | 1200 (КНС) | 4000[7] | ||
НИИМЭ и Микрон | Микрон | ![]() | ~400 млн $[8] | 2012 | 200 | 90 (массовое)
65 (опытное) |
3000[9] |
НИИМЭ и Микрон | Микрон | ![]() | 2009[10] | 200 | 180 | ||
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1] | ![]() | $200 млн[11] | 2016[12] | 200/300 | 90/55 только MRAM слои[13] | до 4000 | |
НИИИС[1] | ![]() | 150 | Маски, MEMS, СВЧ | ||||
НПК «Технологический центр» | ![]() | 100 | |||||
Исток[1] | ![]() | 150 мм | |||||
Микран[1] | ![]() | 25 марта 2015[14]. | 100 мм | ||||
Группа Кремний ЭЛ[15] | ![]() | 19 марта 2019 | 500 | ||||
ВЗПП-Микрон[16] | ![]() | 100/150 мм | |||||
ВЗПП-С[17] | ![]() | ||||||
Синтез Микроэлектроника[18] | ![]() | 200 | 350 | ||||
НЗПП с ОКБ[19] и НПП «Восток» | ![]() | 100 мм | 180/250[20] | ||||
НИИ Системных исследований РАН[21] | ![]() | 250/350/500 | мелкосерийное производство, опытные партии | ||||
Протон[22] | ![]() | ||||||
НПП Пульсар[23] | ![]() | ||||||
Российские космические системы[24] | ![]() | 76,2/100/150 | 1000 | ||||
ВЗПП-Микрон | Светлана-Полупроводники[25] | ![]() | |||||
Росэлектроника | Светлана-Рост | ![]() | 50,8/76,2/100 | 200/500/800/1000 | |||
Светлана-Электронприбор[26] | Светлана-Электронприбор | ![]() | |||||
НИИ полупроводниковых приборов[27] | ![]() | ||||||
Центральное конструкторское бюро автоматики[28] | ![]() | 900 | |||||
ADGEX[29] | ![]() | 12,5 | 500 | ||||
АО ОКБ-Планета | ![]() |
100 | 150 |
В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):[30][31][32][33][34]
- 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм[32];
- 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
- 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц
В других странах
Компания | Название фабрики | Местоположение | Примерная стоимость, млрд долл. | Начало производства | Диаметр пластин, мм | Техпроцесс, нм | Производительность, пластин в месяц |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Intel | D1D[35] | Hillsboro, Орегон, США | 2003 | 300 | 22 | ||
Intel | D1C[35] | Hillsboro, Орегон, США | 2001 | 300 | 32 | ||
Intel | D1X[36] | Hillsboro, Орегон, США | 2013 | 300 | 22 | ||
Intel | Fab 12[35] | Chandler, Аризона, США | 1996 | 300 | 65 | ||
Intel | Fab 32[35][37] | Chandler, Аризона, США | 3 | 2007 | 300 | 45 | |
Intel | Fab 32[35][38] | Chandler, Аризона, США | 300 | 32 / 22 | |||
Intel | Fab 42[39][40] | Chandler, Аризона, США | 5 | план 2013, не запускалась[41] | 300 | 10 / 7 | |
Intel | Fab 11x[35] | Rio Rancho, New Mexico, США | 2002 | 300 | 32 | ||
Intel | Fab 11x[35] | Rio Rancho, New Mexico, США | 2002 | 300 | 45 | ||
Intel | Fab 17[35] | Hudson, Massachusetts, USA | 1998 | 200 | |||
Intel | Fab 10[35] | Leixlip, Ирландия | 1994 | 200 | |||
Intel | Fab 14[35] | Leixlip, Ирландия | 1998 | 200 | |||
Intel | Fab 24[35] | Leixlip, Ирландия | 2006 | 300 | 65 | ||
Intel | Fab 24[35] | Leixlip, Ирландия | 2006 | 300 | 90 | ||
Intel | Fab 28[35] | Kiryat Gat, Израиль | 2008 | 300 | 45 / 22 | ||
Intel | Fab 68[35][42] | Dalian, Китай | 2,5 | 2010 | 300 | 65 | |
Motorola | MOTOFAB1[43] | Guadalajara, Мексика | 2002 | ||||
Micron | USA, Virginia | 300 | |||||
GlobalFoundries | Fab 1[44] | Дрезден, Германия | 2.5 | 2005 | 300 | 45 и менее | 80 000 |
GlobalFoundries | Fab 7[44] | Сингапур | 300 | 130-40 | 50 000 | ||
GlobalFoundries | Fab 8[44][45] | Malta, New York, США | 4.6 | 2012 | 300 | 28 | 60 000 |
GlobalFoundries | Fab 2[46] | Сингапур | 200 | 600-350 | 50 000 | ||
GlobalFoundries | Fab 3/5[47] | Сингапур | 200 | 350-180 | 54 000 | ||
GlobalFoundries | Fab 3E[46] | Сингапур | 200 | 180 | 34 000 | ||
GlobalFoundries | Fab 6[46] | Сингапур | 200 | 110 | 45 000 | ||
GlobalFoundries | Fab 9[48] | Abu Dhabi, ОАЭ | 2015 | ||||
TSMC | Fab 2[49] | Hsinchu, Тайвань | 150 | ||||
TSMC | Fab 3 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 5 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 6 | Tainan, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 8 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 10 | Shanghai, Китай | 200 | ||||
TSMC | Fab 12 | Hsinchu, Тайвань | 300 | 28 | |||
TSMC | Fab 12 | Hsinchu, Тайвань | 300 | 22 | |||
TSMC | Fab 12(P4) | Hsinchu, Тайвань | |||||
TSMC | Fab 14 | Tainan, Тайвань | 300 | 28 | |||
TSMC WaferTech | Fab 14 | Camas, Washington, США | 200 | ||||
TSMC | Fab 15[50] | Taichung, Тайвань | 2011Q4 | 300 | 28 | ||
TSMC | Fab 15[50] | Taichung, Тайвань | конец 2011 | 300 | 20 | ||
TSMC | Fab 16 | Taichung, Тайвань | План | 300 | 28 | ||
UMC | Fab 6A | Hsinchu, Тайвань | 150 | ||||
UMC | Fab 8AB | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8C | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8D | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8E | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8F | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8S | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 12A | Tainan, Тайвань | 300 | ||||
UMC | Fab 12 | Сингапур | 300 | ||||
Vanguard International Semiconductor Corporation | Fab 1 | Тайвань, Hsinchu | 200 | ||||
Vanguard International Semiconductor Corporation | Fab 2 | Тайвань, Hsinchu | 200 | ||||
IM Flash | IM Flash[51] | Сингапур | 2011.04 | 300 | 25 | ||
IM Flash | IM Flash | Lehi, Utah, США | 300 | 20 | |||
IM Flash | IM Flash | Manassas, Virginia, США | |||||
NXP Semiconductors | DHAM[52] | Германия, Гамбург | |||||
NXP Semiconductors | Китай, Jilin | ||||||
NXP Semiconductors | Великобритания, Манчестер | ||||||
NXP Semiconductors | ICN8 | Нидерланды, Nijmegen | |||||
NXP Semiconductors | SSMC | Сингапур | |||||
IBM | Building 323[53][54] | East Fishkill, N.Y., США | 2.5 | 2002 | 300 | ||
IBM | Burlington Fab | Essex Junction, VT, США | 200 | ||||
STMicroelectronics | Crolles 1 / Crolles 200 | Crolles, Франция | 1993 | 200 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 2003 | 300 | 90 | ||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 65 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 45 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 32 | |||
STMicroelectronics | Agrate | Agrate Brianza, Italy | 200 | ||||
STMicroelectronics | Catania | Catania, Italy | 1997 | 200 | |||
STMicroelectronics | Rousset | Rousset, Франция | 2000 | 200 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[55] | Albany, NY, США | .175 | 2005 | 300 | 65 | |
CNSE | NanoFab 300 North[55] | Albany, NY, США | 300 | 45 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[55] | Albany, NY, США | 300 | 32 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[55] | Albany, NY, США | 300 | 22 | |||
CNSE | NanoFab 300 South[55] | Albany, NY, США | .050 | 2004 | 300 | 22 | |
CNSE | NanoFab 200[56] | Albany, NY, США | .016 | 1997 | 200 | ||
CNSE | NanoFab Central[55] | Albany, NY, США | .150 | 2009 | 300 | 22 | |
Powerchip Semiconductor | Memory Foundry[57] | Тайвань | 300 | 90 | |||
Powerchip Semiconductor | Memory Foundry[57] | Тайвань | 300 | 70 | |||
Freescale Semiconductor | ATMC[58] | Остин, Техас, США | 1995 | 200 | 90 | ||
Freescale Semiconductor | Chandler Fab[59] | Chandler, Arizona, США | 1.1[60] | 1993 | 200 | 180 | |
Freescale Semiconductor | Oak Hill Fab[61] | Остин, Техас, США | .8[62] | 1991 | 200 | 250 | |
Freescale Semiconductor | Sendai Fab[63] | Sendai, Япония | 1987 | 150 | 500 | ||
Freescale Semiconductor | Toulouse Fab[64] | Toulouse, Франция | 1969 | 150 | 650 | ||
SMIC | S1 Mega Fab[65] | Shanghai, Китай | 200 | 90 | 94 тыс. суммарно на S1[66] | ||
SMIC | S1 Mega Fab[65] | Shanghai, Китай | 200 | 350 | |||
SMIC | S1 Mega Fab[65] | Shanghai, Китай | 200 | 90 | |||
SMIC | S2[65] | Shanghai, Китай | 300 | 45/40 | |||
SMIC | B1 Mega Fab[65] | Beijing, Китай | 2004 | 300 | 130 | ||
SMIC | B1 Mega Fab[65] | Beijing, Китай | 2004 | 300 | 65/55 | 36 тысяч суммарно на B1[66] | |
SMIC | Fab 7[65] | Tianjin, Китай | 2004 | 200 | 350 | 39 тысяч суммарно на F7[66] | |
SMIC | Fab 7[65] | Tianjin, Китай | 200 | 130 | |||
SMIC | Fab 8 | Шанхай, Китай | 200 | 45-28 нм | 15 тысяч суммарно на F8[66] | ||
Winbond | Memory Product Foundry[67] | Taichung, Тайвань | 300 | 90 | |||
Winbond | Memory Product Foundry[67] | Taichung, Тайвань | 300 | 65 | |||
MagnaChip | F-5[68] | Cheongju, Южная Корея | 2005 | 200 | 130 | ||
ProMOS | Fab 4[69][70] | Taichung, Тайвань | 1.6 | 300 | 70 | ||
Telefunken Semiconductors | Heilbronn | Heilbronn, Германия | 150 | 10,000 | |||
Telefunken Semiconductors | Roseville fab[71] | Roseville, CA, США | 200 | ||||
Hynix | M7[72] | Icheon, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | M8[72] | Cheongju, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | M9[72] | Cheongju, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | E1[72] | Eugene, OR, США | 200 | ||||
Hynix | HC1[72] | Wuxi, Китай | 200 | ||||
Fujitsu | Fab No. 1[73] | Mie Prefecture, Япония | 2005 | 300 | 65 | 15,000 | |
Fujitsu | Fab No. 1[73] | Mie Prefecture, Япония | 2005 | 300 | 90 | 15,000 | |
Fujitsu | Fab No. 2[73] | Mie Prefecture, Япония | 2007 | 300 | 65 | 25,000 | |
Fujitsu | Fab No. 2[73] | Mie Prefecture, Япония | 2007 | 300 | 90 | 25,000 | |
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 65 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 90 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 130 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 180 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 250 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 1991 | 350 | |||
ON Semiconductor | Gresham[74] | Gresham, OR, США | Future | 200 | 65 | ||
ON Semiconductor | Gresham[74] | Gresham, OR, США | 200 | 130 | |||
ON Semiconductor | Pocatello[75] | Pocatello, ID США | 200 | 350 | |||
ON Semiconductor | Pocatello[75] | Pocatello, ID США | 200 | 5000 | |||
National Semiconductor | Greenock[76] | Greenock, Scotland | 150 | 20,833 | |||
National Semiconductor | South Portland[77] | South Portland, ME, США | .932 | 1997 | 350 | ||
National Semiconductor | South Portland[77] | South Portland, ME, США | 250 | ||||
National Semiconductor | South Portland[77] | South Portland, ME, США | 180 | ||||
National Semiconductor | West Jordan | West Jordan, UT, США | 1977 | 102 | |||
National Semiconductor | Arlington | Arlington, TX, США | 1985 | 152 | |||
Samsung | Line-16[78] | Hwaseong, Южная Корея | 2011 | 300 | 20 | 12,000 | |
Samsung | S2[79] | USA, TX, Остин | 2011 | 300 | 32 | 40,000 | |
Tower Semiconductor | Fab 1[80] | Израиль, Migdal Haemek | 1989 | ||||
Tower Semiconductor | Fab 2[80] | Израиль, Migdal Haemek | 2003 | 200 | 130-180 | ||
Tower Semiconductor | Fab 3[80] | США, Калифорния, Newport Beach | 1967 | 200[81] | 130-500 | 17,000 | |
Tower Semiconductor | Fab 4[80] | Япония, Nishiwaki City |
Примечания
- Semiconductor Market Update Russia – Nov 2012 (англ.) (недоступная ссылка). SEMI Europe (November 2012). Дата обращения: 3 декабря 2013. Архивировано 25 октября 2013 года.
- «Ангстрем-Т» банкрот. Признано официально . https://www.cnews.ru/ (28.10.2019).
- Анастасия Степанова. Завод микроэлектроники «Ангстрем-Т» — банкрот: как же бюджетные миллиарды? . regnum.ru (05.11.2019).
- Перезапущенный случай . «Коммерсантъ» (23 июня 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021.
- Годовой отчет Открытого акционерного общества «Ангстрем-Т» за 2008 год Архивная копия от 15 января 2014 на Wayback Machine, 30.05.2008, Оригинальный текст (рус.)[показатьскрыть]предприятие предназначено для производства интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм с использованием современных технологических процессов с минимальными проектными нормами 130—110 нм. … Общая стоимость проекта составляет около 45 млрд рублей.
- Фабрика Ангстрем-Т введена в коммерческую эксплуатацию (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 августа 2016. Архивировано 10 августа 2016 года.
- Производственная база / Кристальное производство Архивная копия от 13 января 2013 на Wayback Machine // Ангстрем
- David Manners, ST, Mikron to finish 90nm jv fab this year // Electronics Weekly, 1 March 2011
- Роснано и СИТРОНИКС, 2012.
- JSC Mikron, Experience of 90nm technology transfer and facilities upgrade Архивная копия от 25 мая 2015 на Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012 (англ.)
- Портфельная компания РОСНАНО, 2013.
- О компании
- Производственные технологии
- в среду открыл в Томске завод радиоэлектроники
- http://group-kremny.ru
- Vsp-mikron
- АО «ВЗПП-С» - Воронежский завод полупроводниковых приборов
- Синтез Микроэлектроника
- http://nzpp.ru
- Техперевооружение кластера микроэлектроники планируют завершить к 2020 году. | Infopro54 - Новости Новосибирска. Новости Сибири
- https://www.niisi.ru
- Продукция АО «Протон»
- Главная
- Российские космические системы — Лидер космического приборостроения России
- http://svetpol.ru
- Архивированная копия (недоступная ссылка). Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 2 января 2018 года.
- https://www.niipp.ru
- http://www.ckba.net
- https://adgex.com
- Section 1 WORLDWIDE IC INDUSTRY ECONOMIC UPDATE AND FORECAST of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5, pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42, (англ.) Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть]Integral — has the only operational class 10 facility in the former USSR, … unable to operate effectively below 1.5µm resolution. Until Angstrem, it was also the only former East European plant capable of processing 150mm wafers.
- Smith, Sonnenfeld, Pellow, 2006, .Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть]By the mid-1990s, the main Belorussian semiconductor consortium, Integral, was the largest Eastern European semiconductor company. All six key plants were based in Minsk
- Russia’s Technology Industry Enters New Era (англ.), SEMI (2008). Дата обращения 28 мая 2015. «».Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть]5. ... state-funded semiconductor manufacturing project is planned at Integral, Belarus. The project is a CMOS process with technology level at 0.35 micron, wafer size of 200 mm, and initial production volume of 1,000 wafers per month with planned expansion up to 2,000 per month
- Интеграл, 2010.
- INTEGRAL Joint Stock Company. Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: «Production capacities. Wafer fabs», слайды 5, 6 (англ.)
- Intel Global Manufacturing Facts, 2011
- Intel Announces Multi-Billion-Dollar Investment in Next-Generation Manufacturing in U.S
- Intels $3 Billion Fab Now Open for Business
- PRESS KIT — Fab 32 (англ.)
- Intel to Invest More than $5 Billion to Build New Factory in Arizona
- Intel's new $5 billion plant in Arizona has Obama's blessing . https://www.usatoday.com.+Дата обращения: 28 марта 0201. Архивировано 27 октября 2012 года.
- Intel shelves delayed Fab 42 facility // Bit-tech, 2014-01-15 Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть]Intel’s Chuck Mulloy confirmed that the facility will be 'left vacant for now' .. has not yet been outfitted with fabrication equipment — 'the actual tools, the expensive stuff, are not in there,'
- Intel Opens $2.5 Billion Fab Plant in China
- Exports and local development … — Patricia Ann Wilson: Motorola Plant Reference in a book
- 300mm Manufacturing // GlobalFoundries
- World’s Most Advanced Semiconductor Foundry To Use GE’s Water Purification System, The Street (14 июня 2010). Архивировано 11 октября 2012 года. Дата обращения 1 июня 2011.
- 200mm
- 200mm
- Cooper, Robin K.. GlobalFoundries to build Abu Dhabi plant in 2012 (24 мая 2011).
- Fab Locations . Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата обращения: 21 апреля 2012.
- TSMC Acquires PSC Land for New Fab Construction, Taiwan Economic News (13 января 2011). Архивировано 24 июля 2011 года. Дата обращения 13 января 2011.
- Intel, Micron open US$3 billion NAND flash facility in Singapore, DigiTimes (11 апреля 2011). Дата обращения 11 апреля 2011.
- About NXP
- IBM's Cutting-Edge $2.5 Billion Fab Reaps $500 Million in NY Incentives, The Site Selection (1 ноября 2000). Дата обращения 16 апреля 2011.
- IBM's $2.5B fab turns Hudson into silicon valley, EE Times (2002-8-05). Дата обращения 27 мая 2011.
- 300mm Wafer Fabrication Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
- 200mm Wafer Fabrication (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 25 декабря 2010 года.
- Foundry Services (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 20 июля 2011 года.
- Freescale Austin Technology & Manufacturing Center
- Freescale Chandler Fab
- Motorola Restarts MOS 12 Facility Expansion, Electronic News (1999). Архивировано 8 июля 2012 года. Дата обращения 6 октября 2011.
- Freescale Oak Hill Fab
- R & D Collaboration on Trial: The Microelectronics and Computer Technology Corporation, Harvard Business School Press (1994). Дата обращения 6 октября 2011.
- Freescale Sendai Fab
- Freescale Toulouse Fab
- SMIC — Fab Information (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 27 ноября 2011 года.
- Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective Архивная копия от 7 марта 2016 на Wayback Machine / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
- Memory Product Foundry (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 8 октября 2011 года.
- MagnaChip ups capex, tips 130-nm process (недоступная ссылка)
- ProMOS Goes for 70nm DRAM, SOFTPEDIA (13 августа 2007). Дата обращения 27 мая 2011.
- Record fab construction reached in second quarter, says report, EE Times (2 июля 2004). Дата обращения 31 мая 2011.
- Renesas sells U.S. fab to Telefunken, EE Times (30 марта 2011). Дата обращения 31 мая 2011.
- Hynix to Accelerate Retirement of 200mm Fabrication Plants (недоступная ссылка)
- Fujitsu to Construct New Fab for Logic Chips Employing 65nm Process Technology and 300mm Wafers
- Gresham, USA
- Pocatello, USA
- Greenock, Scotland
- South Portland, Maine (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 20 июня 2011 года.
- SAMSUNG, 2011.
- Samsung's Austin Logic Line Breaks Record Achievements, Samsung (5 декабря 2011). Дата обращения 18 мая 2012.
- TowerJazz Manufacturing
- GSA, 2009, с. 85.
Литература
- Ted Smith, David Allan Sonnenfeld, David N. Pellow. 8. Out of the Shadows and into the Gloom // Challenging the Chip: Labor Rights and Environmental Justice in the Global Electronics Industry. — Temple University Press. — Philadelphia, USA: 978-159213-331-4, 2006. — С. 101. — 357 с.
Ссылки
- Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти // РОСНАНО, 31 октября 2013
- ОАО «Роснано» и ОАО «СИТРОНИКС» запускают на «Микроне» самое современное в России и СНГ микроэлектронное производство // Пресс-релиз РосНАНО и Ситроникс, 17.02.2012
- Состояние и перспективы развития высоконадежной элементной базы производства ОАО «Интеграл» // НТЦ Белмикросхемы, слайд 2; 2010
- The IC Foundry Almanac. 2009 edition. Section III: IC Foundry providers // IC Insights, Global Semiconductor Alliance, 2009
- SAMSUNG BEGINS OPERATION OF WORLD’S LARGEST MEMORY FAB, Samsung Village (22 сентября 2011). Архивировано 30 сентября 2011 года. Дата обращения 6 октября 2011.
- Global Wafer Capacity / IC Insights (платн.)
- Semiconductor/HBLED/MEMS Foundries and IDMs / SEMI (платн.): North American — 300 mm Fabs, Japan — 300 mm Fabs, Southeast Asia — 200 mm / 300 mm Fabs
- World Fab Watch / SEMI (платн.)
- Semiconductor Wafer Fab Database: Worldwide, 2Q14 Update / Gartner (платн.)
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.