МЦСТ-R150
Микропроцессор МЦСТ R-150 (1891ВМ1) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC V8. Изготавливается с 2001 года. Кремниевые пластины производятся в Израиле на фабрике Tower Semiconductor, а корпусированием и тестированием процессоров занимается компания ASE(Тайвань).[1]
Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,35 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.
Микропроцессор R-150 предназначен для создания ЭВМ для стационарных и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации.
| Характеристики | Значения | |
|---|---|---|
| 1 | Технологический процесс | КМОП 0,35 мкм |
| 2 | Рабочая тактовая частота | 150 МГц |
| 3 | Размер слов: | 32/64 |
| 4 | Кэш-память команд 1-го уровня | 8 Кбайт (2 way) |
| 5 | Кэш-память данных 1-го уровня | 16 Кбайт (4 way) |
| 6 | Внешняя кэш-память 2-го уровня | 1 Мбайт |
| 7 | Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня | 1,2 Гбайт/с |
| 8 | Пропускная способность шины MBus | 0,4 Гбайт/с |
| 9 | Площадь кристалла | 100 мм² |
| 10 | Количество транзисторов | 2,8 млн |
| 11 | Количество слоев металла | 4 |
| 12 | Тип корпуса / количество выводов | BGA / 480 |
| 13 | Напряжение питания | 3,3 В |
| 14 | Рассеиваемая мощность | <4 Вт |
Источники
- Сайт ЗАО МЦСТ