Леденцов, Николай Николаевич

Родился 3 мая 1959 года в Ленинграде[1].

В 1982 году — окончил факультет оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института[1].

С 1982 года — работает в ФТИ имени А. Ф. Иоффе, в настоящее время — главный научный сотрудник института[1].

В 1986 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Люминесценция слоёв арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с квантовыми ямами на их основе, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией»[1].

В 1993 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Гетероструктуры с размерным квантованием в одном, двух и трёх измерениях»[1].

В 1997 году — избран членом-корреспондентом РАН[1].

Основатель (2006) и генеральный директор компании VI Systems GmbH, разрабатывающей и производящей оптические системы для передачи данных при сверхвысоких скоростях и соответствующие электронно-оптические компоненты[1].

Специалист в области технологии получения и исследования свойств гетероструктур с размерным квантованием[1].

Ведёт преподавательскую работу в должности профессора в Санкт-Петербургском политехническом университете, НИУ ИТМО и Берлинском техническом университете[1].

Количество публикаций — 840, цитирований — 18246, индекс Хирша — 59[2].

• Государственная премия Российской Федерации (в составе группы, за 2001 год) — за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»
• Премия Гумбольдта[1]
• Премия Международного симпозиума полупроводниковых соединений[1]

• Леденцов, Николай Николаевич на официальном сайте РАН
• Леденцов Николай Николаевич (ИС АРАН) (неопр.). isaran.ru. Дата обращения: 20 июля 2017.