Лашкарёв, Вадим Евгеньевич

Родился 7 октября 1903 года в Киеве.

В 1924 году окончил Киевский институт народного образования. В 1924—1927 годах — аспирант, преподаватель Киевской научно-исследовательской кафедры физики. С 1928 года работал в Ленинградском физико-техническом институте, с 1930 года возглавлял там отдел рентгеновской и электронной оптики, а с 1933 года — лабораторию дифракции электронов. В 1933 году опубликовал монографию «Дифракция электронов». По результатам исследований в 1935 году ему без защиты диссертации присудили учёную степень доктора физико-математических наук.

В феврале 1935 года был арестован за «участие в к/р группе мистического толка»[3], а в июле того же года осуждён на 5 лет ссылки в Архангельск (реабилитирован 15 июля 1957 года). В 1935—1939 годах работал заведующим кафедрой Архангельского медицинского института. С 1939 года — заведующий отделом полупроводников Института физики АН УССР.

В 1941 году экспериментально открыл p-n переход в закиси меди. В том же году опубликовал результаты своих открытий в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве с К. М. Косоноговой). В годы Великой Отечественной войны вместе с коллективом Института физики был эвакуирован в Уфу.

Находясь в Сибири во время войны, Лашкарёв разработал медекислые диоды[4][5], которые применялись в армейских радиостанциях, и добился их промышленного выпуска на заводе в Уфе. После освобождения Киева вместе с институтом вернулся на Украину. В 1944—1952 годах одновременно с работой в институте заведовал кафедрой физики, а в 1952—1956 годах — вновь созданной кафедрой физики полупроводников Киевского университета.

Исследовал биполярную диффузию неравновесных носителей тока. Заложил основы учения об электродвижущих силах в полупроводниках. С 1956 года — главный редактор основанного в том же году «Украинского физического журнала». С 1960 года работал в Институте полупроводников АН УССР сначала заведующим отделом, затем (1960—1970) — директором. Совместно с В. И. Ляшенко впервые провёл исследования поверхностных явлений в полупроводниках. Создал научную школу[6].

Умер 1 декабря 1974 года в Киеве. Похоронен на Байковом кладбище.

• орден «Знак Почёта» (1 октября 1944);
• Государственная премия УССР в области науки и техники (1981, посмертно).

В 2002 году его имя присвоено Институту физики полупроводников НАН Украины.

• Храмов Ю. А. Лашкарёв, Вадим Евгеньевич // Физики : Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и доп. — М. : Наука, 1983. — С. 157. — 400 с. — 200 000 экз.
• Храмов Ю. А. История формирования и развития физических школ на Украине. — К., 1991.

• Первый диод на p-n переходе.
• Лашкарёв Вадим Евгеньевич // «Санкт-Петербургская школа».