Латышев, Александр Васильевич

Родился 4 января 1959 года.

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.

С 1998 г. возглавляет лабораторию нанодиагностики и нанолитографии.

С 2007 г. занимает должность заместителя директора по научной работе Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «наноэлектроника»).

С 2013 г. занимает должность директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Под руководством А. В. Латышева защищено 3 кандидатских диссертации. Является автором и соавтором более 250 научных публикаций, 3 монографий, 9 глав в коллективных монографиях, 6 патентов.

Основным направлением научной деятельности Латышева А. В. является изучение механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы микро- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современного электронного материаловедения.

Латышевым А. В. с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Под руководством Латышева А. В. в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Наиболее значительным результатом работ Латышева А. В. явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния. Латышевым А. В. выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе. Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

Премия Правительства РФ в области образования (2014 г.)[1]

• Профиль Александра Васильевича Латышева на официальном сайте РАН
• Страница А. В. Латышева на сайте Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН