Крёмер, Герберт
Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; род. 25 августа 1928, Веймар, Германия) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».
Герберт Крёмер | |
---|---|
нем. Herbert Krömer | |
Дата рождения | 25 августа 1928 (93 года) |
Место рождения | Веймар, Германия |
Страна | |
Научная сфера | электротехника |
Место работы | |
Альма-матер | |
Научный руководитель | Фриц Саутер[d] и Ричард Бекер[1] |
Награды и премии | Нобелевская премия по физике (2000) |
Медиафайлы на Викискладе |
Иностранный член Национальной инженерной академии США (1997)[2][3], иностранный член Национальной академии наук США (2003)[4].
Биография
После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 году он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 году он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 год Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.
Достижения
Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.
Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.
В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.
Награды
- Награда имени Дж. Дж. Эберс, от IEEE, 1973
- Золотая медаль Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
- Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
- Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
- Премия Гумбольдта, 1994
- Нобелевская премия по физике, 2000
Общественная деятельность
В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО)[5][6][7].
Примечания
- Математическая генеалогия (англ.) — 1997.
- National Academy of Engineering, 7 марта 1997 (англ.)
- Dr. Herbert Kroemer (англ.)
- Twenty-One Women in 2003 Class // Science, 09 May 2003: Vol. 300, Issue 5621, pp. 883-884 (англ.)
- 107 Nobel laureates sign letter blasting Greenpeace over GMOs
- Laureates Letter Supporting Precision Agriculture (GMOs)
- Список нобелевских лауреатов подписавших письмо
Ссылки
- Г. Крёмер. «Квазиэлектрическое поле и разрывы зон. Обучение электронов новым фокусам». Нобелевская лекция. Успехи физических наук, том 172, выпуск 9, сентябрь 2002
- Информация с сайта Нобелевского комитета (англ.)
- Домашняя страница Герберта Крёмера на сайте Калифорнийского университета в Санта-Барбаре (англ.)