Иммерсионная литография

Иммерсионная литография (англ. Immersion lithography) — в фотолитографии для микроэлектроники — способ повышения разрешающей способности за счёт заполнения воздушного промежутка между последней линзой и плёнкой фоторезиста жидкостью с показателем преломления более 1 (метод иммерсии). Угловое разрешение увеличивается пропорционально показателю преломления. Современные литографические установки используют в качестве жидкости высокоочищенную воду, позволяя работать с техпроцессом менее 45 нм.[1] Системы с использованием иммерсионной литографии выпускаются лишь ASML, Nikon и Canon. Улучшением данной технологии можно считать методику HydroLith, в которой измерения и позиционирование производится на сухой пластине, а экспонирование — на «мокрой».[2]

В иммерсионной литографии свет проходит сверху вниз через систему линз, затем попадает в воду, находящуюся между нижней линзой и фоторезистом на поверхности пластины.

Преимущества иммерсионной литографии

В системах с воздушным зазором имеются ограничения увеличения разрешения (невозможность увеличения Числовой апертуры). При помощи иммерсионной жидкости можно увеличить показатель преломления пространства между линзой и объектом, увеличив тем самым апертуру. Так, вода в системе, работающей на ультрафиолетовом свете с длиной волны 193 нм (ArF), имеет показатель 1.44.

Разрешение оборудования увеличивается на 30-40 % (точное значение зависит от материалов).

Особенности в производственном процессе

Перспективы технологии

В 2010 году был достигнут техпроцесс 32 нм с использованием иммерсионной литографии; продолжаются эксперименты по работе с 22нм. Теоретически возможно использование иммерсионной литографии вплоть до техпроцесса 11 нм.[3]

Согласно данным, подготовленным RealWorldTech к 2009 году иммерсионная литография использовалась практически повсеместно при производстве микросхем по наиболее тонким техпроцессам. [4]

Примечания
  1. DailyTech — IDF09 Intel Demonstrates First 22nm Chips Discusses Die Shrink Roadmap (недоступная ссылка). Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано 28 августа 2010 года.
  2. ASML: Products - Immersion Technology (недоступная ссылка). Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано 7 июля 2011 года.
  3. http://www.photonics.su/files/article_pdf/2/article_2517_257.pdf глава "О синице в руке и журавле в небе"
  4. Таблица Данные с IEDM о техпроцессах к 2010 году. Источник — RealWorldTech из статьи Тасит Мурки, Закон Мура против нанометров. Всё, что вы хотели знать о микроэлектронике, но почему-то не узнали… // ixbt.com
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.