Жуков, Алексей Евгеньевич
Алексей Евгеньевич Жуков (род. 1968) — специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).
| Алексей Евгеньевич Жуков | |
|---|---|
| Дата рождения | 9 февраля 1968 (54 года) |
| Место рождения | Ленинград |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | физика полупроводников |
| Место работы | Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН |
| Альма-матер | Ленинградский электротехнический институт |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (2002) |
| Учёное звание |
профессор член-корреспондент РАН (2008) |
Биография
Родился 9 февраля 1968 года в Ленинграде.
В 1992 году — с отличием окончил кафедру оптоэлектроники факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ), (в настоящее время — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).
В 1996 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств».
В 2002 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».
В 2008 году — избран членом-корреспондентом РАН.
Трудовая и преподавательская деятельность[2]
- Ведущий научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН.
- Заведующий кафедрой Фотоники СПбАУ РАН.
- Профессор кафедры «Физика и технология наноструктур» Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого
- Профессор кафедры «Оптоэлектроника» Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Научная деятельность
Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры
Основные научные результаты:
- разработчик воспроизводимой технологии синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, которая позволяет управлять их структурными и оптическими свойствами и расширять спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи;
- развил теорию лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установил взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснил эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние;
- разработал высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решил проблему надежности подобных лазеров.
Автор 276 опубликованных работ.
Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.
Награды
- Премия имени А. Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга (2017) - за выдающиеся научные результаты в области оптических микрорезонаторов и микролазеров на основе квантовых точек для нового поколения оптической связи, внесшие значительный вклад в развитие физики полупроводниковых наноструктур и техники полупроводниковых лазеров[3]
Примечания
- Жуков Алексей Евгеньевич (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 29 августа 2017.
- Информация о сотруднике: Жуков Алексей Евгеньевич (Сайт Академического университета) (недоступная ссылка). spbau.ru. Дата обращения: 29 августа 2017. Архивировано 4 сентября 2017 года.
- В Смольном вручены премии за выдающиеся научные результаты в области науки и техники. gov.spb.ru. Дата обращения: 16 сентября 2017.
Ссылки
- Жуков, Алексей Евгеньевич на официальном сайте РАН
- Жуков, Алексей Евгеньевич на математическом портале Math-Net.Ru