Домашевская, Эвелина Павловна
Эвелина Павловна Домашевская (род. 12 марта 1935, Харбин,Маньчжоу-го) — Доктор физико-математических наук, профессор, заведующая кафедрой физики твердого тела и наноструктур Воронежского государственного университета. Действительный член РАЕН с 1999 года. Член научной секции РАН по проблеме «Рентгеновская и электронная спектроскопии».
Эвелина Павловна Домашевская | |
---|---|
Дата рождения | 12 марта 1935 (86 лет) |
Место рождения | |
Страна | СССР → Россия |
Научная сфера | Физика, Физика твёрдого тела |
Место работы | Воронежский государственный университет |
Альма-матер | ВГУ |
Учёная степень | Доктор физико-математических наук |
Учёное звание | профессор, академик РАЕН |
Награды и премии | |
Сайт | Домашевская Э.П. |
За выдающиеся достижения в области электронного строения полупроводников и тонкопленочных гетероструктур учёный Домашевская Э.П. награждена президиумом Российской Академии Естественных Наук памятной медалью П. Л. Капицы.
Основные этапы деятельности
- 1957 г. — защита диплома на физическом факультете ВГУ;
- 1967 г. — защита кандидатской диссертации;
- 1971 г. — присвоение звания доцента;
- 1980 г. — защита докторской диссертации;
- 1983 г. — присвоение ученого звания профессора;
- 1995 г. — становится лауреатом премии Фонда Сороса;
- 1999 г. — Домашевская Э.П. избрана действительным членом Российской Академии Естественных Наук;
- 2000 г. — Домашевской Э.П. вручена памятная медаль П. Л. Капицы;
- 2001 г. — повторно становится лауреатом премии Фонда Сороса;
- 2003 г. — присвоено звание Заслуженный деятель науки Российской Федерации.
Область научных интересов и основные результаты
Исследование электронного строения наноструктур, содержащих квантовые точки и наночастицы. Сверхструктурное упорядочение в эпитаксиальных наноструктурах AlxGa1-хAs/GaAs(100). Исследование синхротронных и ультрамягких рентгеновских спектров наноструктур и нанокомпозитов.
Обнаруженные фундаментальные закономерности взаимодействия d-s,р-электронов положены в основу разработанных Домашевской Э.П. оригинальных методик исследования механизмов межатомного взаимодействия и фазового профиля тонкопленочных гетероструктур, составляющих технологическую основу твердотельной электроники.
Возглавляет научную школу: "Атомное и электронное строение твердых тел и наноструктур".
Патенты
- Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов № 2378643
- Способ селективного определения ацетона в воздухе № 2377551
- Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола № 2376590