Динистор

Структура (а.), схема замещения (б.) и условное графическое обозначение[1] (в.) динистора

В динисторе имеются четыре полупроводниковых слоя и три p-n перехода[2]. Крайние области именуются эмиттерами, внутренние — базами, крайние p-n переходы носят название эмиттерных, а внутренний — коллекторного. Прибор имеет два электрода: катод (со стороны n-эмиттера) и анод (со стороны p-эмиттера).

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) динистора, как и ВАХ тиристора, S-образна. Динистор обладает бистабильностью по току в интервале напряжений от напряжения удержания ${\displaystyle U_{H}}$ до напряжения включения ${\displaystyle U_{S}}$. В этом интервале одному и тому же значению напряжения отвечают два состояния прибора с разными значениями тока: запертое и проводящее. В запертом состоянии напряжение в основном приложено к обратно смещённому коллекторному p-n переходу, концентрация неосновных носителей в базах незначительна. В проводящем состоянии все три p-n перехода имеют прямое смещение, в базы инжектируются неосновные носители. При достаточно высокой плотности тока прибор работает подобно диоду с длинной базой при прямом смещении: базовые области заполнены электронно-дырочной плазмой с высокой концентрацией носителей заряда, инжектируемой из эмиттеров. Падение напряжения на базовых областях в этом режиме может существенно превосходить смещение на p-n переходах.

Типичная вольт-амперная характеристика динистора.
${\displaystyle U_{S},~I_{S}}$ — напряжение и ток включения;
${\displaystyle U_{H},~I_{H}}$ — напряжение и ток удержания;
${\displaystyle U_{Z}}$ — максимально допустимое напряжение при обратной (нерабочей) полярности.

Механизм бистабильности динистора такой же, как у тиристора. Этот механизм определяется нелинейным взаимодействием трёх p-n переходов p-n-p-n структуры. Переход к проводящему состоянию связан с изменением полярности смещения коллекторного перехода с обратного на прямое при увеличении плотности тока. Механизм взаимодействия трёх р-n переходов поясняет двухтранзисторная модель[2] (см. рисунок и также в статье Тиристор), в этой модели p-n-p-n структура представлена как два «составных» p-n-p и n-p-n транзистора в соответствии с показанной на рисунке эквивалентной схемой динистора. Двухтранзисторная модель связывает напряжение включения U_S с коэффициентами передачи по току «составных» транзисторов.

Для включения динистора, как и тиристора, в базы p-n-p-n структуры необходимо внести избыточные неосновные носители — так называемый «запускающий», или «управляющий», заряд. Величина этого заряда должна превосходить критический заряд ${\displaystyle Q_{S},}$ характеризующий конкретную p-n-p-n структуру. Критический заряд ${\displaystyle Q_{S}}$ имеет характерную поверхностную плотность порядка 10⁻⁶ Кл/см². В отличие от тиристора, динистор не имеет управляющего электрода, позволяющего ввести управляющий заряд с помощью тока управляющего электрода. Поэтому для переключения динистора на практике применяются другие методы. К ним относится, в частности, повышение напряжения на коллекторном переходе.

С S-образной ВАХ связано явление гистерезиса: при увеличении напряжения прибор находится в запертом состоянии до достижения напряжения включения ${\displaystyle U_{S},}$ при уменьшении тока через прибор остается в открытом состоянии до достижения напряжения удержания ${\displaystyle U_{H},}$ причём ${\displaystyle U_{H}<U_{S}.}$

Для экспериментального наблюдения этого явления ток через динистор необходимо ограничивать последовательно включённым омическим сопротивлением. Два состояния прибора заданы пересечением ВАХ и нагрузочной прямой.

Для динистора, как и других приборов с S-образной ВАХ, характерно нежелательное явление шнурования тока[3].

«Скульптура»-динистор, США

В 1950-е годы динистор явился одним из первых полупроводниковых приборов использующих кремний (не германий)[4][5], в Калифорнии установлен «памятник» этому прибору в связи с его исторической значимостью.

Много лет широко использовался в схемотехнике в качестве ключа, например, для создания импульса отпирания тиристора в схемах управления тиристорами. Благодаря простоте конструкции и дешевизне считался идеальным элементом в схеме тиристорного регулятора мощности или импульсного генератора.

С 1990-х годов был вытеснен для слаботочных применений такими элементами как диак.

Ныне динисторы используются преимущественно в силовой полупроводниковой электронике: для этого разрабатываются новые конструкции динисторов, а также принципы подачи напряжения.

Специфика мощных динисторов состоит в ряде конструктивных особенностей и выборе параметров полупроводниковых слоёв, в том числе слабом легировании баз для повышения напряжения включения и большой площади переходов приборов. При этом должен использоваться особый способ перевода прибора в открытое состояние.

Так, в реверсивно включаемом динисторе (РВД)[6] — силовом импульсном приборе — сначала подаётся слабый импульс тока с обратной (то есть нерабочей) полярностью, когда базы, в первую очередь n-база, заполняются электронно-дырочной плазмой через прямосмещённый коллекторный переход. После этого, уже при рабочей полярности, включение динистора происходит легче, чем без предварительной подачи импульса с обратной полярностью, механизм открытия подобен управлению тиристора по управляющему электроду. Преимуществом является одновременность включения сразу по всей площади полупроводниковой структуры.

Такие приборы в настоящее время изготавливаются из кремния; также обсуждается возможность использования карбида кремния (SiC) для применения при высокой температуре.

Для динистора на принципиальных электрических схемах в иностранной литературе нет единого общепринятого обозначения. По ГОСТ 2.730-73 условное графическое обозначение динистора - перечёркнутый символ диода[1]. Некоторые варианты символов представлены ниже:

• 
  [7]
• 
  ГОСТ 2.730-73, Klaus Beuth: Bauelemente[8]
• 
  [8][4]
• 
  [9]

Некоторые из условных графических обозначений динистора образованы начертанием цифры 4, — по количеству слоёв в структуре[4]. Это видно, если повернуть третий слева рисунок на 180 ° (см. также фото «памятника» динистору).