Гуревич, Вадим Львович

Родился 4 июня 1934 года в Ленинграде[2].

В 1956 году окончил физический факультет ЛГУ[2].

В 1960 году защитил кандидатскую, в 1965 году — докторскую диссертацию, а в 1971 году присвоено учёное звание профессора[2].

С 1956 года работал в Институте полупроводников АН (ИПАН) СССР, с 1972 года — в Физико-техническом институте (ФТИ) имени А. Ф. Иоффе (после объединения ИПАН и ФТИ). Заведовал сектором физической кинетики (с 1971 года)[2].

С 1984 по 1991 годы — профессор Ленинградского политехнического института[2].

В 2000 году избран членом-корреспондентом РАН[2].

Скончался 19 декабря 2021 года[3].

Специалист по физике конденсированного состояния[2].

Основатель направления и научной школы физической кинетики фононных и электронных макро- и микросистем[2].

Совместно с коллегами предсказал резонансное поглощение электрической, световой и акустической энергии в сильном магнитном поле, т.н. магнетофононный резонанс (совместно с В.Г. Скобовым и Ю.А. Фирсовым), предсказал гигантские осцилляции поглощения ультразвука в металлах в магнитном поле и создал теории этих эффектов. Установил эффект усиления ультразвуковых волн в полупроводниках и слоистых структурах полупроводник-диэлектрик при дрейфе через них носителей тока, на основе которого были созданы различные акусто-электронные приборы[2].

• Государственная премия СССР (в составе группы, за 1974 год) — за цикл исследований по созданию теоретических основ акустоэлектроники

• Профиль Вадима Львовича Гуревича на официальном сайте РАН
• Гуревич Вадим Львович (ИС АРАН) (неопр.). isaran.ru. Дата обращения: 24 июля 2017.