Барьер Шоттки

Назван по имени немецкого ученого Вальтера Шоттки (W. Schottky), исследовавшего такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода ${\displaystyle \phi }$, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, обладающим меньшей ${\displaystyle \phi }$, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно. При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов:

${\displaystyle U_{k}={\frac {\phi _{M}-\phi _{\Pi }}{e}},}$

где ${\displaystyle e}$ — заряд электрона.

Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов ${\displaystyle U_{k}}$ создается в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нем больше, чем в толще полупроводника. В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при ${\displaystyle \phi _{M}>\phi _{\Pi }}$ для полупроводника n-типа, или при ${\displaystyle \phi _{M}<\phi _{\Pi }}$ для полупроводника p-типа возникает потенциальный барьер.

В реальных структурах металл-полупроводник соотношение ${\displaystyle \phi _{O}=\phi _{M}-\phi _{\Pi }}$ не выполняется, так как на поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрической прослойке, часто образующейся между металлом и полупроводником, обычно имеются поверхностные состояния.

Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами. Ток через него при наложении внешнего электрического поля создается почти целиком основными носителями заряда, что означает отсутствие явления инжекции, накопления и рассасывания зарядов.  Контакты металл — полупроводник с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах[1].

Диоды, использующие этот барьер, называются диодами Шоттки или диодами с барьером Шоттки (ДШБ). Существуют также транзисторы Шоттки.

• Шоттки барьер // Физическая энциклопедия. Т. 5 / Гл. ред. А. М. Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1988. С. 467.
• Полупроводниковые преобразователи // Нанометр, 2009.