Энергонезависимая память

Энергонезависимая память (англ. Non Volatile Random Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью[1].

В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения или способа активации памяти, к примеру: РЧИ (радиочастотная идентификация или RFID технология). Однако подпадающие под это определение носители информации, ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия. Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко, по отношению к полупроводниковой БИС запоминающего устройства, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.

Микросхема КМОП, подпитываемая батарейкой

Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая память для хранения настроек BIOS питаются от компактной батарейки, закреплённой на плате. Современные RAID-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM-памяти, используемой в качестве буфера[2][3].

В начале 2010-х годов наиболее широко распространённой энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND (Charge Trap Flash).

Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-память после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и ряд других[4][5][6]