Фотопластический эффект

Фотопластический эффект — явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт Ю. А. Осипьяном и И. Б. Савченко в 1968 г.[1][2][3] Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.[1]

Примечания
  1. Конюшая Ю. П. Открытия советских ученых. - М., Московский рабочий, 1979. - с. 410
  2. Андреев А. Ф., Алферов Ж. И., Алдошин С. М., Бредихин С. И., Велихов Е. П., Гантмахер В. Ф., Кведер В. В., Ковальчук М В., Кулаковский В. Д., Матвеев В. А., Месяц Г. А., Тимофеев В. Б. "Памяти Юрия Андреевича Осипьяна" // УФН 178 1239–1240 (2008)
  3. Вавилов В. С. "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" // УФН 164 287–296 (1994)

Литература
  • Героргбиани А. Н., Шейнкман М. К. Физика соединений A2B6. - М., Наука,
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.