Третьяков, Дмитрий Николаевич

Дмитрий Николаевич Третьяков (1935—2002) — советский и российский учёный, лауреат Ленинской премии (1972).

Дмитрий Николаевич Третьяков
Дата рождения	20 марта 1935(1935-03-20)
Дата смерти	2002(2002)
Научная сфера	полупроводники
Награды и премии

Окончил ЛЭТИ (1957).

С 1957 г. и до последних дней жизни работал в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР (РАН).

Установил, что что неустойчивый сам по себе арсенид алюминия абсолютно устойчив в тройном соединении алюминийгаллий-мышьяк в «твёрдом растворе». Так был найден гетеропарагаллий — арсенид галлия-арсенид алюминия (1968).

Входил в состав группы ученых (Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков, В. И. Швейкин), которые к 1968 г. разработали многослойные гетероструктуры, ставшие основой современных полупроводниковых лазеров с генерацией в импульсном режиме.

Соавтор Жореса Алфёрова в исследованиях:

• Высоковольтные p — n-переходы в кристаллах Gax Al1 — xAS (В. М. Андреев, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков, В. М. Тучкевич)
• Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1 — xAs — p-GaAs (В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков)
• Гетеропереходы AlxGa1 — xAs — GaAs (В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков)

Преподавал на кафедре оптоэлектроники ЛЭТИ (несмотря на то, что не имел учёной степени).

Сочинения:

• Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов [Текст] / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков ; Под ред. чл.-кор. АН СССР Ж. И. Алферова. — Москва : Совет. радио, 1975. — 328 с. : черт.; 17 см.
• Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Корольков, ¨ Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков. Тр. IX межд. конф. по полупроводниковым структурам (Москва, 23-29 июля 1968) (Л., Наука, 1969) 1, 534
• Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGai.xAs-pGaAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков. // ФТП. 1968. — Т. 2. — С. 1016—1019.
• Ж. И. Алфёров, Я. В. Бергманн, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, М. Н. Степанова, А. А. Яковенко, Д. Н. Третьяков. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-n переходов на основе слаболегированного GaAs. ФТП, 1978, т. 12, в. 1, стр. 68-74.

Ленинская премия 1972 года (в составе коллектива) — за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.