Твердофазная эпитаксия

Твердофазная эпитаксия сокр., ТФЭ (англ. solid phase epitaxy сокр., англ. SPE) — способ наращивания эпитаксиальной плёнки, при котором сначала при пониженной температуре осаждается неупорядоченная (аморфная) плёнка, после чего проводится её кристаллизация при более высоких температурах (которые, однако, ниже температуры плавления этого материала).

Обычно твердофазная эпитаксия делается путём нанесения аморфной плёнки на монокристаллическую подложку. Затем подложка нагревается, в результате чего происходит кристаллизация плёнки. Одной из разновидностей твердофазной эпитаксии считает отжиг, который используется для перекристаллизации слоёв кремния, аморфизированных с помощью ионной имплантации. Во время этого процесса происходит сегрегация и перераспределение примесей на границе растущего аморфоного слоя. Данный метод используется для внедрения примесей с низкой растворимостью в кремний[1].

См. также

Примечания

Custer, J.S.; Polman, A.; Pinxteren, H. M. Erbium in crystal silicon: Segregation and trapping during solid phase epitaxy of amorphous silicon // Journal of Applied Physics. — 1994. — Вып. 75 (6): 2809. — doi:10.1063/1.356173. — .

Ссылки

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[1] Custer, J.S.; Polman, A.; Pinxteren, H. M. Erbium in crystal silicon: Segregation and trapping during solid phase epitaxy of amorphous silicon // Journal of Applied Physics. — 1994. — Вып. 75 (6): 2809. — doi:10.1063/1.356173. — .