Сушков, Валерий Петрович

Родился в Москве 4 апреля 1938 года в семье инженера Петра Мартыновича Сушкова и Фелицы Петровны Сушковой. С детства увлекался наукой и иностранными языками. Окончил московскую школу № 667 с золотой медалью в 1955 году и поступил в Московский энергетический институт (МЭИ).

Уже через год после окончания ВУЗа в 1960 году Валерий Петрович начинает работать в НИИ "Сапфир". Месте, которое ранее было известно как НИИ-311 и в 1956 году переориентированно на разработку диодов и тиристоров. Именно это и было основным направлением работы Валерия Петровича, а с этим институтом связаны самые активные годы его научной жизни. Там была проведена работа, отмеченная потом различными наградами и премиями. В 1984 году Валерий Петрович назначен заместителем директора по научной работе и главным инженером НИИ «Сапфир», в 1989 году — начальником отделения некогерентной оптоэлектроники, в 1993 году — директором Научно-производственного комплекса.

Работая в НИИ "Сапфир", Валерий Петрович принимал участие в различных научных проектах и за его стенами, продолжал учиться и развиваться. Его работа была замечена, он получил возможность посещать важные для того времени научные конференции по всему миру. Свободное владение английским языком, а также менее свободное владение французским и немецким языками позволяло делать это. В 1964 году на научной конференции в Париже познакомился и стал соратником Ж. И. Алфёрова, с которым продолжал дружить всю жизнь.

В 1970 году Валерий Петрович Сушков попадает в США в составе группы молодых советских ученых, где сначала учится (PhD), а потом и работает в качестве преподавателя Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA)

Звание профессора Валерий Петрович Сушков получил еще в 1985 году, а в 1997 году оставил свою должность в НИИ "Сапфир" и перешёл на работу в Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» «МИСиС» [2], где преподавал на кафедре "Технологии материалов электроники" института "Новых материалов и нанотехнологий". Подготовил немало выпускников аспирантуры и докторантуры, продолжал заниматься научными исследованиями и принимал активное участие в разработке наукоемких технологий.

Одним из ярких примеров работы Валерия Петровича является разработанный им светодиодный индикатор для первых советских светодиодных часов. А в 1977 году вместе с коллегами совершил открытие в области полупроводниковой электроники, внёсшее важный вклад в дальнейшее успешное развитие этой отрасли. Результатом работы стало создание многоцветного источника света с перекрёстной коммутацией и увеличенное число излучающих элементов. В том числе успешное создание светодиода белого свечения. Благодаря этой работе, Валерий Петрович вписал свое имя в историю изучения и развития светоизлучающих диодов как в отечественной, так и мировой науке.

На протяжении всей своей научной карьеры Валерий Петрович был неоднократно отмечен государственными наградами и внёс крупный вклад в развитие российской и мировой науки и электронной промышленности. Ему принадлежат 72 авторских свидетельства на уникальные изобретения, им написано более 250 научных статей, за плечами большое количество выступлений на различных конференциях.

Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники (1987 год), награждён орденом «Знак почёта» (1979 год), медалью «За трудовое отличие» (1966), медалью «В память 850-летия Москвы», званием «Лучший изобретатель Москвы» и медалями ВДНХ.

• Монография: «Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы», 1990 год.
• «Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы», //журнал История науки и техники. — 2011. — N 8. — С. 65-71
• "Влияние ультразвуковой вибрации на деградацию светоизлучающих диодов на основе InGaN", //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2009, № 1, стр. 86 - 92
• "Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока", //Инженерная физика, 2008, № 5, стр. 22 - 23
• "Behavior of a porous particle in a radiofrequency plasma under pulsed argon ion beam bombardment", //NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2010, № 1, Т. 12
• "Tunable diode laser absorption spectroscopy of argon metastable atoms in Ar/C2H2 dusty plasmas", //NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2009, № 1, Т. 11

• Отечественная радиоэлектроника: биографическая энциклопедия, 1 том, страница 439, М.: Российское агентство по системам управления (РАСУ), 2003.
• Электронная промышленность СССР, 1961—1985. К 100-летию А. И. Шокина / Под ред. В. М. Пройленко. М.: Техносфера, 2009. ISBN 978-5-94836-232-8. Страница 172.

• Пример патента на изобретение: Архивная копия от 10 июля 2014 на Wayback Machine Тонкоплёночное светодиодное устройство с возможностью поверхностного монтажа
• Рабинович О. История изучения светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур (htm) и (pdf)// Компоненты и технологии, 2008, № 7.