Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами

Характеристические потери энергии электронами покрывают широкий диапазон от 10⁻³ до 10⁴ эВ и могут происходить в результате различных процессов рассеяния, таких как:

• возбуждение глубоких уровней (100-10⁴ эВ);
• возбуждение плазмонов и электронных межзонных переходов (1-100 эВ);
• возбуждение колебаний атомов поверхности и адсорбата (10⁻³−1 эВ).

Термин «спектроскопия характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ)» имеет двойное значение. С одной стороны, он используется как общий термин для обозначения методов анализа потерь энергии электронами во всем диапазоне от 10⁻³ до 10⁴ эВ.

С другой стороны, он имеет более узкое значение для обозначения методики исследования характеристических потерь только второй группы, с энергиями в диапазоне от нескольких эВ до нескольких десятков эВ, связанных с возбуждением плазмонов и электронных межзонных переходов. При этом первая группа потерь является предметом спектроскопии ХПЭЭ глубоких уровней, а третья — спектроскопии высокого разрешения характеристических потерь энергии электронами. Наиболее же частое использование метода СХПЭЭ (именно в узком смысле) связано с решением таких задач, как определение плотности электронов, участвующих в плазменных колебаниях, и химический анализ образцов, включая анализ распределения элементов по глубине.

Методика была разработана Дж. Хиллером и Р. Ф. Бейкером в середине 1940-х[1], однако широкое распространение не получила в последующие 50 лет. И только в 1990-х стала распространяться благодаря улучшению вакуумных технологий и микроскопов.

EELS зачастую рассматривают как комплиментарную к ЭДС (EDX), которая является другой распространённой спектроскопической техникой, доступной на множестве электронных микроскопов. ЭДС хороша для определения атомного состава веществ, проста в использовании и несколько чувствительнее к тяжелым элементам. СХПЭЭ же исторически является более трудной методикой, но, в принципе, способной для измерения атомного состава, химических связей, валентности и свойств зоны проводимости, поверхностных свойств и т. д. СХПЭЭ предпочтительнее для работы с относительно малыми атомными номерами, где край полосы поглощения острее, легче определяется и экспериментально доступен (при большой энергии поглощения (>3кэВ) сигнал очень слабый).

EELS позволяет быстро и достаточно точно измерять локально толщину образца в ПЭМ. [2] Наиболее эффективна следующая процедура:[3]

• Измерить EELS спектр в диапазоне энергий −5..200 eV (больше — лучше). Такое измерение возможно произвести за малое время выдержки (миллисекунды), так что может производиться на нестабильных под элеронным пучком веществах.
• Анализ спектра: выделить zero-loss пик (ZLP) и рассчитать его интегральную величину (I₀) и интегральную величину всего спектра (I).
• Толщина t = mfp*ln(I/I₀). Где mfp средняя длина пробега неупруго рассеянных электронов, табличная величина.[4]

Пространственное разрешение в данном методе ограничено локализацией плазмона (~1 nm),[2] то есть карты толщин могут быть получены в STEM с разрешением в ~1 nm.

• Энергетически фильтруемая просвечивающая электронная микроскопия
• Просвечивающий электронный микроскоп

• Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / Под ред. В. И. Сергиенко. — М.: Наука, 2006. — 490 с.
• Egerton, R. F. Electron Energy Loss Spectroscopy in the Electron Microscope (англ.). — 2nd. — New York: Plenum, 1996. — ISBN 978-0-306-45223-9.