Са Чжитан

Са Чжита́н (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. трад. 薩支唐, упр. 萨支唐, пиньинь Sà Zhītáng, р. 10 ноября 1932) — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.[2]

Са Чжитан
Дата рождения 10 ноября 1932(1932-11-10) (89 лет)
Место рождения
Страна
Место работы
Альма-матер
Ученики Сократис Пантелидис
Награды и премии

Обрел популярность в физике и технике известной моделью Са при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году.[3][4] Суть модели Са заключается в упрощении рассмотрения режима «сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов». В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 70-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.

Список наград
  • 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
  • 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
  • 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
  • 2000 — Избран в Китайскую Академию Наук
  • 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
  • 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
  • 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
  • 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
  • 1995 — IEEE Life Fellow
  • 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
  • В 1989 — IEEE Jack Morton Award
  • 1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров
  • 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
  • 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
  • 1971 — Член Американского Физического Товарищества
  • 1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE)
  • 1000 world’s Most Cited Scientists, 1865—1978, Институт научной информации

Литература

Примечания
  1. Bibliothèque nationale de France Record #123154056 // BnF catalogue général (фр.) — Paris: BnF.
  2. www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html Архивировано 12 ноября 2007 года.
  3. C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
  4. «Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.

Патенты
  • 3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965
  • 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
  • 3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969
  • Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
  • 4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.