Рекомбинационное излучение

Рекомбинационное излучение — излучение, излучаемое в результате процесса рекомбинации — захвата пролетающего электрона ионом и перехода электрона в связанное состояние. При этом в излучение переходит энергия, равная сумме кинетической энергии свободного электрона и его энергии связи[1]. Для водородной плазмы мощность рекомбинационного излучения на единицу объёма (${\displaystyle 1cm^{3}}$) даётся формулой[2]:

${\displaystyle Q\approx 6\cdot 10^{-22}{\frac {n_{e}^{2}}{\sqrt {T_{e}}}}}$

До температуры около ${\displaystyle 4\cdot 10^{5}}$ излучение рекомбинации превышает тормозное излучение вследствие торможения электронов. При более высоких температурах преобладает тормозное излучение. В случае ионов плазмы с большими зарядами излучение рекомбинации возрастает приблизительно пропорционально четвёртой степени заряда иона[2].