Потолок валентной зоны

Потоло́к вале́нтной зо́ны — самое высокое по энергии состояние в валентной зоне полупроводника, а также энергия этого состояния. Состояние задаётся волновым вектором электрона ${\displaystyle {\vec {k}}_{v0}}$, а энергия имеет стандартное обозначение ${\displaystyle E_{v}}$.

Потолок валентной зоны обычно находится в центре зоны Бриллюэна (в Γ-точке) и является вырожденным, так как там происходит касание двух ветвей дисперсионного соотношения ${\displaystyle E({\vec {k}})}$, связывающего энергию электрона (дырки) и волновой вектор.

Для органических полупроводников, вместо термина «потолок валентной зоны», используется понятие самая высокая занятая молекулярная орбиталь (англ. HOMO: highest occupied molecular orbital).

Если дно зоны проводимости и потолок валентной зоны полупроводника находятся в одной и той же точке зоны Бриллюэна (${\displaystyle {\vec {k}}_{c0}={\vec {k}}_{v0}}$, обычно = 0), такой материал называется прямозонным (пример: GaAs), а если в разных — непрямозонным (пример: Si).