Полупроводник n-типа

Полупроводни́к n-ти́па — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости.

Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора

Для того чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток.

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.

Обычно легирование проводится до уровня 1013−1019 доноров в см3. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.

См. также

Литература

  • Горелик С. С., Дашевский В. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. М.: МИСИС, 2003. — 480 с. — ISBN 5-87623-018-7.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.