Орликовский, Александр Александрович

Выпускник Московского инженерно-физического института 1961 года.

В 1961—1963 годах работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения.

В 1963—1966 годах — аспирант Московского института электронного машиностроения.

В 1969—1984 годах (последовательно) старший преподаватель, доцент, профессор кафедры интегральных полупроводниковых схем (ныне кафедра интегральной электроники и микросистем) Московского института электронной техники.

В 1981—1985 годах — старший научный сотрудник сектора микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН), в 1985—1988 годах заведующий лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов отдела микроэлектроники Института общей физики (ИОФАН).

С 1988 года (после выделения отдела в Физико-технологический институт) заведующий лабораторией (1988—2001), заместитель директора по научной работе (2001—2005), директор (2005—2015), научный руководитель ФТИАН (2015—2016).

Начиная с работы в МИЭТ, научная карьера и деятельность Орликовского была тесно связана с деятельностью академика К.А. Валиева. Орликовский, как и Валиев, последовательно переходил сначала в ФИАН, затем в ИОФАН и в ФТИАН. В 2005 году, когда Валиев ушёл с должности директора ФТИАН, новым директором был избран именно Орликовский.

Читал лекции на кафедре физических и технологических проблем микроэлектроники факультета физической и квантовой электроники МФТИ[1].

Член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Скончался 1 мая 2016 года в Москве. Похоронен на Троекуровском кладбище (участок 25а)[2].

• Выполнены с внедрением в спецаппаратуре пионерские работы по полупроводниковым интегральным схемам памяти (концепция, схемы выборки, структуры, коллективные явления).
• Разработаны плазменные процессы (травления, осаждения, имплантации и др.) в технологии кремниевой наноэлектроники; разработаны методы мониторинга плазменных процессов, созданы высокочувствительные детекторы момента окончания процессов; разработан томограф низкотемпературной плазмы для контроля 2В-распределений концентраций радикалов и ионов.
• Разработаны оригинальные конструкции СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы; созданы автоматизированные технологические плазменные установки, предназначенные для применения как в исследовательских, так и в промышленных целях.
• Разработаны новые технологии силицидизации контактов к мелкозалегающим p-n переходам; получены приоритетные результаты в исследованиях кинетики фазообразования силицидов.
• Разработана физическая модель баллистических нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе» с учетом квантовых эффектов; созданы нанотранзисторы с суб-100 нм каналами.