Ионно-молекулярное наслаивание

Ионно-молекулярное наслаивание — один из методов послойного синтеза на поверхности подложки нанослоев с использованием в качестве реагентов ионов (катионов или анионов) из растворов и молекул летучих веществ из газовой фазы. Метод предложен проф. В. П. Толстым и экспериментально обоснован в его работах с сотрудниками в лаборатории Санкт-Петербургского государственного университета. В англо-язычной литературе метод получил название Ionic Layer Gas Reaction (ILGAR) и находит применение для создания солнечных элементов, электродов химических источников тока и др.

Литература
  • Толстой В. П., Богданова Л. П. Способ фосфатирования поверхности стали. Патент РФ № 1475980, приоритет от 24.12.86.
  • Алесковский В. Б., Богданова Л. П., Егорова Е. В., Толстой В. П. Способ получения монослоев оксидов металлов, Пат. РФ 1591534, приоритет от 20.06.1988.
  • Гулина Л. Б., Толстой В. П. Синтез на поверхности кремнезема по методике «слой-за-слоем» нанослоев Ag2S. // Вестник СПбГУ. Физика. Химия. 1999. № 11. С. 88-91.
  • Tolstoy V.P., Zhuchkov B.S., Murin I.V. Synthesis of ScF3, LaF3 nanolayers and nLaF3-mScF3 multinanolayers at the surface of silicon by successive ionic layer deposition method. // Solid State Ionics. 1997. V. 101—103. P. 165—170.
  • Èller J. Mo, Fischer Ch.-H., Mufer H.-J., Ènenkamp R. K., Kaiser I., Kelch C., Lux-Steiner M. C. A novel deposition technique for compound semiconductors on highly porous substrates: ILGAR, Thin Solid Films, 2000, V. 361—362, P. 113—117.
  • Gledhill S., Allison R., Allsop N., Fu Y., Kanaki E., Sáez-Araoz R., Lux-Steiner M., Fischer Ch.-H. The reaction mechanism of the spray Ion Layer Gas Reaction process to deposit In2S3 thin films, Thin Solid Films, 2011, V. 519, 19, 2011, P. 6413.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.