Горбачёв, Владимир Васильевич (физик)

Влади́мир Васи́льевич Горбачёв — советский и российский учёный в области физики полупроводников, доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ (1996).

Владимир Васильевич Горбачёв
Дата рождения 5 октября 1933(1933-10-05) (88 лет)
Научная сфера физика полупроводников
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Горбачёв; Горбачёв, Владимир; Горбачёв, Владимир Васильевич.

Биография

Родился 05.10.1933 в Подольске (Московская область).

Окончил физический факультет МГУ (1957) и аспирантуру МИФИ (1966, с защитой диссертации «Исследование силового взаимодействия атомов в решетках меди и никеля методом неупругого когерентного рассеяния тепловых нейтронов»[1]).

Трудовая деятельность:

  • 1958—1961 начальник службы радиационной безопасности атомного ледокола «Ленин».
  • 1966—1986 ассистент, доцент, зав. кафедрой физики полупроводников и полупроводниковой электроники МИСиС.
  • 1986—1988 начальник Центральной научно-исследовательской геммологической лаборатории ГОХРАНа.
  • с 1988 заведующий кафедрой физики Московского государственного университета печати.

Доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ (1996).

Сочинения:

  • Физика полупроводников и металлов. — Москва, 1976.
  • Полупроводниковые соединения AI2BVI / В. В. Горбачев. — М. : Металлургия, 1980. — 132 с. : граф.; 21 см.
  • Физика полупроводников и металлов [Текст] : [Учеб. пособие для втузов] / В. В. Горбачев, Л. Г. Спицына. — Москва : Металлургия, 1976. — 368 с. : ил.; 22 см.
  • Физика полупроводников и металлов [Текст] : [учебник для вузов по специальности «Технология спец. материалов электронной техники»] / В. В. Горбачев, Л. Г. Спицына. — 2-е изд., перераб. и доп. — Москва : Металлургия, 1982. — 336 с. : ил.; 22 см.
  • Физические свойства некоторых материалов, используемых в полупроводниковой технике [Текст] : Учеб. пособие для упражнений и семинарских занятий / В. В. Горбачев, А. С. Охотин ; Моск. ин-т стали и сплавов, Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников. — Москва : МИСИС, 1975. — 208 с. : граф.; 21 см.
  • Физические основы полупроводниковой техники и её применение в полиграфии : Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по специальностям 281400, 170800, 210100 / В. В. Горбачев, Т. М. Ткачева, С. П. Вартанян; М-во общ. и проф. образования Рос. Федерации. Моск. гос. ун-т печати. — М. : Изд-во МГУП, 1999. — 174 с. : ил., табл.; 20 см; ISBN 5-8122-0039-4
  • Теплофизические свойства полупроводников [Текст] / А. С. Охотин, А. С. Пушкарский, В. В. Горбачев. — Москва : Атомиздат, 1972. — 200 с. : черт.; 22 см.

Примечания
  1. Горбачев, Владимир Васильевич. Исследование силового взаимодействия атомов в решетках меди и никеля методом неупругого когерентного рассеяния тепловых нейтронов (Текст): Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Эл. каталог РГБ. Дата обращения: 20 июля 2020.

Источники
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.