Гомоэпитаксия

Гомоэпитаксия (автоэпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n+-n и p+-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.

См. также

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.