Гаськов, Александр Михайлович

Александр Михайлович Гаськов (20 марта 1944, Улан-Удэ — 18 января 2021, Москва) — российский химик-неорганик, доктор химических наук (1989), профессор (1993), заведующий лабораторией химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов МГУ им. М. В. Ломоносова (2008—2021).

Гаськов Александр Михайлович
Дата рождения 20 марта 1944(1944-03-20)
Место рождения Улан-Удэ, СССР
Дата смерти 18 января 2021(2021-01-18) (76 лет)
Место смерти Москва
Научная сфера Химия
Место работы МГУ им. М.В. Ломоносова
Учёная степень Доктор химических наук
Научный руководитель Новоселова, Александра Васильевна

Биография

Родился и вырос в г. Улан-Удэ.

В школьные годы А. М. Гаськов выиграл Всесибирскую олимпиаду по химии, что позволило ему беспрепятственно поступить на Химический факультет Московского государственного университета, который он успешно окончил в 1966 году. По окончании обучения поступил в аспирантуру, и уже в 1969 г. защитил кандидатскую диссертацию и начал преподавательскую деятельность. Будучи младшим научным сотрудником, в 1972—1974 гг. читал лекции в Алжирском институте нефти и газа, по возвращении продолжил научную деятельность в области полупроводниковых материалов. В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Направленный синтез трехкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники»[1], а через 5 лет стал профессором кафедры неорганической химии. С 2008 года заведует лабораторией химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов на кафедре неорганической химии Химического факультета МГУ.

Скончался на 77-м году жизни от коронавирусной инфекции[2].

Научные исследования

Научная карьера Александра Михайловича начиналась на стыке областей радиохимии и химии полупроводников, дипломная работа была посвящена определению давления пара полупроводников с помощью радиоактивных изотопов. Однако в аспирантуре выбор был сделан в пользу изучения полупроводниковых материалов, и лейтмотивом исследования под руководством А. В. Новоселовой стала разработка материалов для ИК-фотоприемников, что позволяло решать задачи ночного видения, передачи информации через атмосферу — изучались различные гетероструктуры свинца, олова и теллура.[3][4] В 90-е годы в поисках новой области научных изысканий А. М. Гаськов активно сотрудничал с коллегами из Франции, и с этого момента начинается разработка полупроводниковых газовых сенсоров. Одними из первых хорошо зарекомендовавших себя соединениями являлись пленки оксидов олова и меди[5][6], в дальнейшем активному изучению подвергались и другие материалы на основе полупроводниковых оксидов[7][8]. Фундаментальные исследования А. М. Гаськова в области сенсорных материалов включают в себя изучение механизма сенсорной чувствительности нанокристаллических полупроводников, определение природы активных центров на поверхности. Для реализации научных идей под руководством А. М. Гаськова созданы малые предприятия, разрабатывающие газовые сенсоры и анализаторы для детектирования опасных веществ в воздухе.

Преподавательская деятельность

Александр Михайлович начал преподавать после защиты кандидатской диссертации (1969г). В 1972—1974 гг. читал лекции в Алжирском институте нефти и газа, затем участвовал в преподавании различных спецкурсов для студентов кафедры неорганической химии Химического факультета МГУ.

С 2009 г. читает курс «Фундаментальные основы неорганического синтеза» для студентов химического факультета

С 2013 г. преподает курс лекций «Функциональные неорганические материалы XXI века» (межфакультетский курс).

С 2015 г. читает спецкурс «Современные аспекты химии полупроводников: от массивных кристаллов до квантовых точек», а также курс « Химия функциональных материалов» для студентов химического факультета

Под его руководством защищено множество курсовых, дипломных работ и 26 кандидатских диссертаций.

Совместно с коллегами является автором 16 учебных курсов.

Публикации

Александр Михайлович имеет 330 статей в различных журналах, в том числе и зарубежных, является соавтором 9 книг.

Основные монографии:

1. Krivetskiy V., Rumyantseva M., Gaskov A. Metal Oxide Nanomaterials for Chemical Sensors. Springer Science+Business Media (New York, United States), 2013—116 p.

2. Румянцева М. Н., Гаськов А. М. Химические методы получения наноматериалов. М.: Химический факультет МГУ, 2013. — 70 с.

3. Gaskov A., Rumyantseva M. Metal oxide nanocomposites: synthesis and characterization in relation with gas sensor phenomena. In Sensors for Environment, Health and Security. NATO Science Series, Brussels, 2008 — 30 p.

Организационная деятельность

Состоял в составе ряда оргкомитетов всероссийских и международных конференций, в частности: 5th Forum on New Materials (Montecatini Terme, Italy, Италия, 13-18 июня 2010), CIMTEC 2014 — 6th Forum on New Materials (Montecatini Terme, Italy, Италия, 15-19 июня 2014), Байкальский материаловедческий форум. 9-13 июля 2012 (Улан-Удэ — Байкал (с. Максимиха), 9-13 июля 2012).

Является членом ряда специализированных и диссертационных советов, научных обществ.

Примечания
  1. Гаськов А. М. Направленный синтез трехкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники. Дисс. докт. хим. наук. Москва. МГУ имени М. В. Ломоносова. 1988.
  2. 18 января 2021 года на 77 году ушел из жизни Александр Михайлович Гаськов. www.chem.msu.ru. Дата обращения: 18 января 2021.
  3. A. N. Vasil\textquotesingleev, V. N. Nikiforov, I. M. Malinski, A. M. Gaskov, R. S. Georgius. Misfit strains in epitaxial heterostructures based on semiconducting solid solutions of A4B6compounds (англ.) // Semiconductor Science and Technology. — 1990-11. — Vol. 5, iss. 11. — P. 1105–1109. — ISSN 0268-1242. — doi:10.1088/0268-1242/5/11/006.
  4. V. P. Zlomanov, V. N. Demin, A. M. Gas'kov. Predominant defects in semiconductor isovalent solid solutions: Pb1 –y(SexTe1 –x)y, Pb1 –y(SxTe1 –x)y and Pb1 –y(SxSe1 –x)y (англ.) // Journal of Materials Chemistry. — 1992-01-01. — Vol. 2, iss. 1. — P. 31–35. — ISSN 1364-5501. — doi:10.1039/JM9920200031.
  5. R. B Vasiliev, M. N Rumyantseva, N. V Yakovlev, A. M Gaskov. CuO/SnO2 thin film heterostructures as chemical sensors to H2S // Sensors and Actuators B: Chemical. — 1998-08-15. — Т. 50, вып. 3. — С. 186–193. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/S0925-4005(98)00235-4.
  6. F. Shao, M. W. G. Hoffmann, J. D. Prades, R. Zamani, J. Arbiol. Heterostructured p-CuO (nanoparticle)/n-SnO2 (nanowire) devices for selective H2S detection // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2013-05-01. — Т. 181. — С. 130–135. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/j.snb.2013.01.067.
  7. Daniil Naberezhnyi, Marina Rumyantseva, Darya Filatova, Maria Batuk, Joke Hadermann. Effects of Ag Additive in Low Temperature CO Detection with In2O3 Based Gas Sensors (англ.) // Nanomaterials. — 2018/10. — Vol. 8, iss. 10. — P. 801. — doi:10.3390/nano8100801.
  8. Hewei Si, Nengqian Pan, Xidong Zhang, Jianjun Liao, M. N. Rumyantseva. A real-time on-line photoelectrochemical sensor toward chemical oxygen demand determination based on field-effect transistor using an extended gate with 3D TiO2 nanotube arrays // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2019-06-15. — Т. 289. — С. 106–113. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/j.snb.2019.03.071.

Ссылки
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.