Би Шэн (лунный кратер)
Кратер Би Шэн (лат. Bi Sheng) — крупный ударный кратер в северной приполярной области обратной стороны Луны. Название дано в честь китайского изобретателя, впервые в истории человечества применившего для печатания подвижной шрифт, Би Шэна (990—1051) и утверждено Международным астрономическим союзом в 2010 г.
Би Шэн | |
---|---|
лат. Bi Sheng | |
Характеристики | |
Диаметр | 55,3 км |
Наибольшая глубина | 2419 м |
Название | |
Эпоним | Би Шэн (990 — 1051) — китайский изобретатель, впервые в истории человечества применил для печатания подвижной шрифт. |
Расположение | |
78°21′ с. ш. 148°28′ в. д.78,35° с. ш. 148,46° в. д. | |
Небесное тело | Луна |
Медиафайлы на Викискладе |
Описание кратера
Ближайшими соседями кратера являются кратер Сирс на юго-западе; кратер Миланкович на юге-юго-востоке и кратер Карпинский на юго-востоке[1]. Селенографические координаты центра кратера — 78°21′ с. ш. 148°28′ в. д.78,35° с. ш. 148,46° в. д., диаметр — 55 км[2], глубина — около 2,4 км[3].
Вал кратера имеет циркулярную форму, умеренно разрушен. Южная и северо-западная часть вала перекрыты крупными кратерами. Высота вала над окружающей местностью составляет около 1200 м[3], объем кратера приблизительно 2500 км3[3]. Дно чаши кратера неровное, отмечено множеством мелких кратеров.
Сателлитные кратеры
Отсутствуют.
См. также
Примечания
- Кратер Би Шэн на карте LAC-7.
- Справочник Международного Астрономического Союза
- Lunar Impact Crater Database. Losiak A., Kohout T., O’Sulllivan K., Thaisen K., Weider S. (Lunar and Planetary Institute, Lunar Exploration Intern Program, 2009); updated by Öhman T. in 2011. Archived page.