Берсукер, Геннадий Исаакович

Геннадий Исаакович Берсукер (англ. Gennadi Bersuker; род. 1953, Кишинёв) — советский и американский физик, автор трудов по физике полупроводников.

Геннадий Исаакович Берсукер
Дата рождения 1953(1953)
Место рождения Кишинёв, Молдавская ССР
Страна
Научная сфера физик
Место работы Техасский университет в Остине
Альма-матер Санкт-Петербургский государственный университет
Научный руководитель Виктор Зигфридович Полингер
Известен как физика полупроводников
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Берсукер.

Биография

Родился в Кишинёве, в семье химиков Исаака Боруховича Берсукера и Лилии Борисовны Берсукер (1930—2003). В 1970 году окончил кишинёвскую среднюю школу № 34[1], затем физико-математический факультет Ленинградского государственного университета[2]. Диссертацию кандидата физико-математических наук по теме «Многомодовый эффект Яна-Теллера в многоатомных системах с двукратно вырожденным электронным состоянием» защитил в 1980 году в Кишинёвском университете под руководством В. З. Полингера[3][4]. Был научным сотрудником Института химии Академии наук Молдавской ССР, затем работал в Лейденском университете. С 1991 года — в Остине (штат Техас), сначала в Техасском университете в Остине, в 1994—2014 годах — в Sematech (Остин), с 2014 года — в The Aerospace Corporation (Лос-Анджелес)[5].

Опубликовал более 300 работ по электронным свойствам диэлектриков, физике попупроводников, кристаллохимии[6][7]. Член редколлегии журнала «Transactions on Device and Materials Reliability»[8].

Сыновья — Евгений (род. 1979) и Кирилл (англ. Kirill Bersuker, PhD), учёный в области молекулярной биологии и цитологии (Стэнфордский университет).

Примечания
  1. Выпускники школы № 34 (недоступная ссылка)
  2. IEEE Electron Devices Society (недоступная ссылка). Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 26 октября 2017 года.
  3. Многомодовый эффект Яна-Теллера в многоатомных системах с двукратно вырожденным электронным состоянием
  4. Интервью с И. Б. Берсукером
  5. Б. Цукерблат, Ю. Систер, К. Жигня «Академик Исаак Борисович Берсукер»
  6. Dielectrics for future transistors
  7. Metal oxide resistive memory switching mechanism based on conductive filament properties
  8. Transactions on Device and Materials Reliability (недоступная ссылка). Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 23 сентября 2017 года.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.