Бахтизин, Рауф Загидович

Родился 20 января 1943 года в городе Уфе БАССР РСФСР СССР. Отец — Загид Имамутдинович Бахтизин[1].

В 1966 году окончил Ленинградский государственный университет[1].

С 1972 года работает в Башкирском государственном университете (ныне — ФГБОУ ВО «БГУ»), с 1980 года — заведующий кафедрой физики электроники и нанофизики[1].

Научная деятельность связана с исследованиями в областях полевой эмиссионной микроскопии и электронной спектроскопии полупроводников и металлов, вакуумной электроники, сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии и нанофизики, разработкой материалов для электронной техники[1].

Развил новое научное направление — флуктуационную спектроскопию полупроводниковых полевых эмиттеров, создал статистическую модель гетерогенной поверхности полупроводника[1].

Является автор более 260 научных трудов и 30 изобретений[1].

• Нагрудный знак «Изобретатель СССР» (1991)[1];
• Почётное звание «Заслуженный деятель науки Республики Башкортостан» (1992)[1];
• Почётное звание «Заслуженный изобретатель Республики Башкортостан» (1996)[1];
• Государственная премия Республики Башкортостан в области науки и техники (2005)[1];
• Нагрудный знак и почётное звание «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации» (2006)[1].

• Мазунов, В. А. Бахтизин, Рауф Загидович // Т. 1. А—Б / гл. ред. М. А. Ильгамов. — Уфа: ГАУН РБ «Науч.-изд. комплекс „Башкирская энциклопедия“», 2005. — 624 с. — (Башкирская энциклопедия). — 7 тыс. экз. — ISBN 5-88185-053-X.